特許

J-GLOBAL ID：201003030584599262

III族窒化物半導体の製造方法

発明者： 奥野 浩司
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-071868
公開番号（公開出願番号）：特開2010-225881
出願日： 2009年03月24日
公開日（公表日）： 2010年10月07日
要約：

【課題】貫通転位が少なく、平坦性の高いIII 族窒化物半導体結晶を製造すること。【解決手段】サファイア基板10の凹凸が設けられている側の表面に、バッファ層を介して、SiをドープしたGaN層11をMOCVD法によって形成した(図1(a))。GaN層11のSi濃度は1×1018〜1×1020/cm3 とし、厚さは1μmとした。次に、GaN層11上に、MgがドープされたGaN層12をMOCVD法によって形成した(図1(b))。このGaN層12の形成において、温度、圧力等の成長条件については変更せず、GaN層11形成時と同様の成長条件とした。また、Mg濃度は1×1017〜1×1020/cm3 となるようにした。以上のようにして形成したGaN層12は、貫通転位の密度が低く、表面平坦性が高い良質な結晶である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にバッファ層を介してアンチサーファクタントがドープされたIII 族窒化物半導体からなる厚さ2μm以下の第1層をMOCVD法により形成する工程と、 前記第1層上に、III 族窒化物半導体からなる第2層を、MOCVD法により形成する工程と、 を有し、 前記第2層へのサーファクタントまたはアンチサーファクタントのドープ量を調整することにより、前記第2層の結晶性および表面平坦性を制御する、 ことを特徴とするIII 族窒化物半導体の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/34

Fターム (32件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030AA20 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030CA17 ,  4K030DA02 ,  4K030DA03 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE29 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA59 ,  5F045DA60 ,  5F045DA67

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体素子製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-309705   出願人：パイオニア株式会社