特許

J-GLOBAL ID：200903058234770229

半導体素子製造方法

発明者： 太田 啓之 ,  木村 義則 ,  宮地 護
出願人/特許権者： パイオニア株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-309705
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126758
出願日： 1997年10月24日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：

【要約】【課題】 量産が容易であり、電極との接触抵抗が小さい半導体素子を得るための製造方法を提供すること。【解決手段】 2族不純物元素を添加したGaN系半導体層を積層する工程と、前記GaN系半導体層を所定温度に加熱し、前記GaN系半導体層のエネルギー禁制帯幅を上回るエネルギーを有する電磁波を照射する工程と、電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

2族不純物元素を添加したGaN系半導体層を積層する工程と、前記GaN系半導体層を所定温度に加熱し、前記GaN系半導体層のエネルギー禁制帯幅を上回るエネルギーを有する電磁波を照射する工程と、電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体素子製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/28 301 B ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (2件)

• p型化合物半導体の低抵抗化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-074645   出願人：新日本製鐵株式会社
• 窒化ガリウム系結晶の熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-239748   出願人：日立電線株式会社