特許
J-GLOBAL ID:201003031737551830
量子ドット発光素子およびその製造方法
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
伊東 忠彦
, 大貫 進介
, 伊東 忠重
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-249344
公開番号(公開出願番号):特開2010-114079
出願日: 2009年10月29日
公開日(公表日): 2010年05月20日
要約:
【課題】 量子ドット発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、量子ドット発光素子およびその製造方法に関し、正孔輸送層に接する面と電子輸送層に接する面とが互いに異なる有機リガンド分布を有する量子ドット発光層を含んで量子ドット発光層のバンドレベルを調節することで、ターンオン電圧および駆動電圧が低くて輝度および発光効率に優れた量子ドット発光素子を具現することができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板;前記基板で支持される量子ドット発光層;前記量子ドット発光層にキャリアを注入するように外部電源と連結された第1電極および第2電極;前記第1電極と量子ドット発光層との間に位置する正孔輸送層;ならびに前記第2電極と量子ドット発光層との間に位置する電子輸送層を含み、
前記正孔輸送層に接する前記量子ドット発光層の第1面と前記電子輸送層に接する前記量子ドット発光層の第2面とが互いに異なる有機リガンド分布を有することを特徴とする量子ドット発光素子。
IPC (9件):
H05B 33/14
, H05B 33/10
, C09K 11/00
, C09K 11/54
, C09K 11/62
, C09K 11/66
, C09K 11/08
, C09K 11/59
, C09K 11/65
FI (10件):
H05B33/14 Z
, H05B33/10
, C09K11/00 E
, C09K11/54
, C09K11/62
, C09K11/66
, C09K11/08 G
, C09K11/59
, C09K11/65
, C09K11/08 J
Fターム (34件):
3K107AA06
, 3K107CC02
, 3K107CC04
, 3K107CC12
, 3K107DD53
, 3K107DD54
, 3K107DD55
, 3K107DD57
, 3K107DD58
, 3K107FF14
, 3K107FF19
, 3K107GG06
, 3K107GG21
, 3K107GG28
, 4H001CA05
, 4H001CC07
, 4H001CC13
, 4H001XA07
, 4H001XA08
, 4H001XA13
, 4H001XA14
, 4H001XA15
, 4H001XA16
, 4H001XA30
, 4H001XA31
, 4H001XA32
, 4H001XA33
, 4H001XA34
, 4H001XA48
, 4H001XA49
, 4H001XA50
, 4H001XA52
, 4H001XA80
, 4H001XA82
引用特許:
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