特許

J-GLOBAL ID：201003034037125715

多結晶シリコン洗浄装置及び洗浄方法

発明者： 堺 一弘 ,  渥美 徹弥 ,  宮田 幸和
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-270239
公開番号（公開出願番号）：特開2010-150130
出願日： 2009年11月27日
公開日（公表日）： 2010年07月08日
要約：

【課題】不純物や斑点を低減した良質の多結晶シリコンを得ることができる洗浄装置を提供する。【解決手段】酸を満たした状態の複数の酸槽2〜6に多結晶シリコンSを順次浸漬しながら洗浄する多結晶シリコン洗浄装置であって、各酸槽2〜6の液温は、隣接する酸槽の後段位置の酸槽が前段位置の酸槽と同じかもしくは低く設定され、かつ、最も前段位置の酸槽2よりも最も後段位置の酸槽6の方が低温に設定され、各酸槽2〜6に、その液温を一定に維持する温調手段18が設けられている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

酸を満たした状態の複数の酸槽に多結晶シリコンを順次浸漬しながら洗浄する多結晶シリコン洗浄装置であって、各酸槽の液温は、隣接する酸槽の後段位置の酸槽が前段位置の酸槽と同じかもしくは低く設定され、かつ、浸漬順序が1番目の酸槽よりも最後の酸槽の方が低温に設定されていることを特徴とする多結晶シリコン洗浄装置。

IPC (4件)：

C01B 33/037 ,  C30B 29/06 ,  C30B 15/00 ,  B08B 3/08

FI (4件)：

C01B33/037 ,  C30B29/06 D ,  C30B15/00 Z ,  B08B3/08 A

Fターム (34件)：

3B201AA46 ,  3B201BB04 ,  3B201BB93 ,  3B201BB96 ,  3B201CB15 ,  3B201CC01 ,  3B201CD24 ,  3B201CD43 ,  4G072AA01 ,  4G072BB01 ,  4G072BB12 ,  4G072DD01 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072GG04 ,  4G072GG05 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ11 ,  4G072JJ16 ,  4G072JJ18 ,  4G072LL06 ,  4G072LL07 ,  4G072MM08 ,  4G072MM23 ,  4G072RR12 ,  4G072RR15 ,  4G072TT01 ,  4G072UU02 ,  4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EC10 ,  4G077HA12 ,  4G077PA16

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 多結晶シリコン
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-254115   出願人：ワッカー・ケミー・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング