特許

J-GLOBAL ID：200903097530579980

多結晶シリコン

発明者： ハンス・ヴォハナー ,  テレジア・バウアー ,  ジェゼフ・デイートル ,  ヴェルナール・オト ,  ヘルベルト・ピヘラー ,  ヴィルヘルム・シュミトバウアー ,  ディエター・ゼイフェルト ,  スザンネ・ヴェイツバウアー
出願人/特許権者： ワッカー・ケミー・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
代理人 (1件)： 萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-254115
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168076
出願日： 1998年09月08日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：

【要約】【課題】 鉄/クロム含量が極めて低い半導体材料、特に多結晶シリコンを提供し、更に、前記の低含量の鉄/クロムを得ることができる多結晶シリコンの製造方法および洗浄装置を提供することである。【解決手段】 酸化洗浄液を用いて少なくとも1段階の予備洗浄で半導体材料を洗浄すること、硝酸とフッ化水素酸を含む洗浄液を用いて更なる段階の主洗浄で該材料を洗浄すること、及び親水化過程で、酸化洗浄液を用いてなお更なる段階で該材料を洗浄することを特徴とし、また該容器が該洗浄液から完全に離れるように、開口部付きの容器を備えた洗浄装置が上昇及び下降動作により前記容器を動かすことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

表面の鉄含量および/またはクロム含量が、6.66×10-11g/cm2未満であることを特徴とする表面の金属濃度が低い半導体材料。

IPC (6件)：

H01L 21/304 641 ,  H01L 21/304 642 ,  H01L 21/304 648 ,  C11D 7/08 ,  C11D 7/30 ,  H01L 21/308

FI (6件)：

H01L 21/304 641 ,  H01L 21/304 642 D ,  H01L 21/304 648 D ,  C11D 7/08 ,  C11D 7/30 ,  H01L 21/308 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 多結晶シリコン機械的加工物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-207070   出願人：株式会社トクヤマ
• 多結晶シリコンの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-207071   出願人：株式会社トクヤマ
• 半導体ウェハ洗浄薬品中の金属不純物除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-012428   出願人：シャープ株式会社