特許
J-GLOBAL ID：201003035405711596
熱電変換モジュールおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
三好 秀和
, 高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-173961
公開番号（公開出願番号）：特開2010-016132
出願日： 2008年07月02日
公開日（公表日）： 2010年01月21日
要約：
【課題】少ない製造工数で、高い熱電変換特性が得られる熱電変換モジュールおよびその製造方法を提供する。【解決手段】焼結型3内に、FeSi2系のp型及びn型からなる各熱電変換半導体原料粉末21’、23’と、これらの間に所定の金属からなる板又は粉末22’を層状に投入し、これらを放電プラズマ焼結法により一段階で焼結・接合する。この焼結・接合の際には、金属層の存在により、p型からn型及びn型からp型への不純物原子の拡散が抑制され、p型及びn型半導体の間には不純物原子の拡散に関して明瞭な接合界面が得られる。また、各原料粉末を一段階で焼結・接合するため熱電変換モジュールの製造コストを大幅に低減できる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
焼結型内に、FeSi2系のp型及びn型からなる各熱電変換半導体原料粉末と、これらの間に所定の金属からなる板又は粉末を層状に投入し、これらを放電プラズマ焼結法により一段階で焼結・接合することを特徴とする熱電変換モジュールの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 35/34
, H01L 35/14
, B22F 7/00
, B22F 3/14
, C22C 1/05
H01L35/34
, H01L35/14
, B22F7/00 Z
, B22F3/14 101C
, B22F3/14 101B
, C22C1/05 N
4K018AD11
, 4K018BA01
, 4K018BA03
, 4K018BA04
, 4K018BA11
, 4K018BB04
, 4K018DA25
, 4K018EA22
, 4K018FA06
, 4K018JA07
, 4K018KA32
