特許

J-GLOBAL ID：201003035777636809

半導体装置の製造方法及び基板処理装置

発明者： 高澤 裕真 ,  柄澤 元 ,  ▲ひろせ▼ 義朗
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-246707
公開番号（公開出願番号）：特開2010-153795
出願日： 2009年10月27日
公開日（公表日）： 2010年07月08日
要約：

【課題】従来の膜種を改質することで、従来の膜質よりも優れた膜質を実現する。 【解決手段】第1元素を含むガスを供給して基板上に第1元素を含む第1の層を形成する工程と、第2元素を含むガスを供給して第1の層を改質して第1元素および第2元素を含む第2の層を形成する工程と、を1サイクルとしてこのサイクルを1回以上行い、所定膜厚の薄膜を形成する工程を有し、一方の工程における圧力、または、圧力およびガス供給時間を、化学量論的な組成を持つ薄膜を形成する場合の一方の工程における圧力、または、圧力およびガス供給時間よりも大きく、または、長くするか、他方の工程における圧力、または、圧力およびガス供給時間を、化学量論的な組成を持つ薄膜を形成する場合の他方の工程における圧力、または、圧力およびガス供給時間よりも小さく、または、短くする。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

基板を収容した処理容器内にCVD反応が生じる条件下で第1元素を含むガスを供給することで、前記基板上に第1元素を含む第1の層を形成する工程と、 前記処理容器内に第2元素を含むガスを供給することで、前記第1の層を改質して第1元素および第2元素を含む第2の層を形成する工程と、 を1サイクルとして、このサイクルを1回以上行うことで、所定膜厚の第1元素および第2元素を含む薄膜を形成する工程を有し、 前記各層のうちの一方の層を形成する工程における前記処理容器内の圧力、または、圧力およびガス供給時間を、化学量論的な組成を持つ前記薄膜を形成する場合の前記一方の層を形成する工程における前記処理容器内の圧力、または、圧力およびガス供給時間よりも大きく、または、長くするか、 前記各層のうちの他方の層を形成する工程における前記処理容器内の圧力、または、圧力およびガス供給時間を、化学量論的な組成を持つ前記薄膜を形成する場合の前記他方の層を形成する工程における前記処理容器内の圧力、または、圧力およびガス供給時間よりも小さく、または、短くすることで、 化学量論的な組成に対し前記各元素のうちの一方の元素の方が他方の元素よりも過剰となる組成を有する前記薄膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/44

FI (4件)：

H01L21/205 ,  H01L21/318 B ,  H01L21/31 C ,  C23C16/44 A

Fターム (43件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA35 ,  4K030BA40 ,  4K030EA03 ,  4K030FA03 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA11 ,  4K030KA41 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045EE12 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EF07 ,  5F045EF09 ,  5F045EH18 ,  5F045EK06 ,  5F058BC08 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BG02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-319883   出願人：松下電器産業株式会社, 株式会社日立国際電気, 信越化学工業株式会社
• 特開昭61-043413