半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (8件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 手島勝 , 藤田篤史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-319883
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158481
出願日： 2002年11月01日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】高誘電体膜を半導体基板上に堆積する際に、反応副生成物の取り込みによる電気的特性の劣化、及び半導体基板の酸化による容量の低下を防止すると共に、多元素高誘電体膜の組成制御を容易にする。【解決手段】金属を含有し且つ酸素を含有しない原料ガスを供給することにより半導体基板上に金属膜を形成した後、酸化性ガスを供給することにより金属膜を酸化して高誘電体膜を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属を含有し且つ酸素を含有しない原料ガスを供給することにより半導体基板上に金属膜を形成する工程と、酸化性ガスを供給することにより前記金属膜を酸化して高誘電体膜を形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/316 , H01L29/78

FI (2件)：

H01L21/316 C , H01L29/78 301G

Fターム (37件)：

5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BC20 , 5F058BF02 , 5F058BF27 , 5F058BF62 , 5F058BJ01 , 5F140AA01 , 5F140AA02 , 5F140AA24 , 5F140AB01 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD06 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BE02 , 5F140BE03 , 5F140BE05 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE16 , 5F140BE19 , 5F140BF01 , 5F140BF10 , 5F140BG08 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BH15 , 5F140CB04

引用特許：

審査官引用 (17件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-267207 出願人：株式会社東芝
多成分系薄膜及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-131493 出願人：三星電子株式会社
ゲート誘電体膜が適用される半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-389904 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター

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