特許
J-GLOBAL ID:201003036054960400

プロトン伝導性膜およびその製造方法、電気化学セル

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-063776
公開番号(公開出願番号):特開2010-218859
出願日: 2009年03月17日
公開日(公表日): 2010年09月30日
要約:
【課題】200°C程度でも高いプロトン伝導性を有し、厚さを数十〜数百nmの範囲にすることができ、かつこの範囲の厚みであってもガスリークがないアモルファス酸化膜、及びこれを用いた電気化学セルを提供する。【解決手段】アモルファス構造を有するタングステン酸化物系複合酸化物からなり、かつプロトン伝導性を示すプロトン伝導性膜であり、タングステン系合金の部材の少なくとも一部をアノード酸化して、アノード酸化用の電解液と接する表面にアモルファス構造を有するタングステン酸化物系複合酸化物層を形成し、形成した酸化物層からプロトン伝導性膜が製造される。さらに、プロトン伝導性電解質として、上記のプロトン伝導性膜を用い、アノード、カソードと積層することにより電気化学セルを構成する。【選択図】図6
請求項(抜粋):
アモルファス構造を有するタングステン酸化物系複合酸化物からなり、かつプロトン伝導性を示す膜である、プロトン伝導性膜。
IPC (8件):
H01M 8/02 ,  H01M 8/12 ,  H01M 4/88 ,  H01B 1/06 ,  H01B 13/00 ,  G01N 27/406 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/58
FI (9件):
H01M8/02 K ,  H01M8/12 ,  H01M8/02 E ,  H01M4/88 T ,  H01B1/06 A ,  H01B13/00 Z ,  G01N27/58 Z ,  C23C14/14 D ,  C23C14/58 Z
Fターム (33件):
2G004BE12 ,  2G004BE27 ,  2G004BE29 ,  2G004ZA01 ,  4K029BA21 ,  4K029BC03 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC15 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4K029JA03 ,  5G301CA02 ,  5G301CA18 ,  5G301CA25 ,  5G301CA28 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5G301CE10 ,  5H018AA06 ,  5H018BB07 ,  5H018BB16 ,  5H018EE02 ,  5H018EE13 ,  5H018HH03 ,  5H018HH06 ,  5H026AA06 ,  5H026BB04 ,  5H026BB10 ,  5H026EE02 ,  5H026EE13 ,  5H026HH03 ,  5H026HH06

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