特許

J-GLOBAL ID：201003036306883110

不揮発性半導体メモリ及び半導体記憶装置

発明者： 中居 司 ,  福水 裕之 ,  野尻 康弘 ,  八尋 和之 ,  大塚 賢一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (21件)： 鈴江 武彦 ,  蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  風間 鉄也 ,  勝村 紘 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-314761
公開番号（公開出願番号）：特開2010-141046
出願日： 2008年12月10日
公開日（公表日）： 2010年06月24日
要約：

【課題】高記録密度及び低消費電力動作を実現することができ、且つ誤スイッチ確率を低くする。【解決手段】電圧印加又は通電によって電気抵抗率が変化する抵抗変化膜62と、抵抗変化膜62を膜厚方向から挟んで設けられた電極61,64とを備えた不揮発性半導体メモリであって、抵抗変化膜62は、炭素を主成分とする膜中に、水素,ボロン,窒素,フッ素,シリコン,及びチタンの中から選ばれた少なくとも1種類の添加元素を固溶してなるものである。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

電圧印加又は通電によって電気抵抗率が変化する抵抗変化膜と、前記抵抗変化膜を膜厚方向から挟んで設けられた電極とを備え、 前記抵抗変化膜は、炭素を主成分とする膜中に、水素,ボロン,窒素,フッ素,シリコン,及びチタンの中から選ばれた少なくとも1種類の添加元素を固溶してなるものであることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (3件)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (9件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 不揮発性メモリセルおよびその製造方法、抵抗可変型不揮発性メモリ装置、並びに不揮発性メモリセルの設計方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-355977   出願人：国立大学法人大阪大学