不揮発性メモリセルおよびその製造方法、抵抗可変型不揮発性メモリ装置、並びに不揮発性メモリセルの設計方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-355977
公開番号（公開出願番号）：特開2008-166591
出願日： 2006年12月28日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：

【課題】本発明は、電圧を印加する前の抵抗と印加した後の抵抗との抵抗比が大きいことに加えて、高速応答性を示す不揮発性メモリセルおよびその製造方法、抵抗可変型不揮発性メモリ装置、並びに不揮発性メモリセルの設計方法を提供する。【解決手段】抵抗層は、遷移金属または遷移金属を含む合金がカーボンナノチューブに内包された構造であり、電圧または電流の印加により、金属-絶縁体転移(モット転移)が誘起される特性を有する。そのため、該抵抗層に電圧または電流を印加することにより、抵抗が大きく変化する。また、抵抗層と電極との界面では、電子移動がスムーズに行われる。それゆえ、電圧を印加する前の抵抗と印加した後の抵抗との抵抗比が大きいことに加えて、高速応答性を示す不揮発性メモリセルを実現できる。【選択図】図17

請求項（抜粋）：

遷移金属または遷移金属を含む合金を内包するカーボンナノチューブからなる抵抗層と、該抵抗層を介して接続された第1電極および第2電極と、を備え、上記第1電極と第2電極との間に電流または電圧を印加することで、上記抵抗層の抵抗が変化し、該電流または電圧の印加を停止後、上記抵抗が変化した状態が保持されることを特徴とする不揮発性メモリセル。

IPC (7件)：

H01L 27/10 , H01L 45/00 , H01L 49/00 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/40 , H01L 29/06

FI (7件)：

H01L27/10 451 , H01L45/00 Z , H01L49/00 Z , H01L29/28 100B , H01L29/28 250E , H01L29/28 310E , H01L29/06 601N

Fターム (9件)：

5F083FZ10 , 5F083GA01 , 5F083JA31 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA60 , 5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第6204139号(2001年3月20日登録)
情報を保存するマイクロ電子デバイスとその方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-600308 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

審査官引用 (2件)

カーボンナノチューブを用いた大容量磁性メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-155384 出願人：ユーエムケー・テクノロジ-株式会社
集積回路装置及び集積回路装置製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-135322 出願人：富士通株式会社

前のページに戻る