特許
J-GLOBAL ID:201003036724884017
垂直型半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-258267
公開番号(公開出願番号):特開2010-118659
出願日: 2009年11月11日
公開日(公表日): 2010年05月27日
要約:
【課題】集積度及び電流を向上させることのできる複層構造の垂直型半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板上に配置される第1垂直半導体装置と、前記第1垂直半導体装置上に配置される第2垂直半導体装置と、前記第1垂直半導体装置と前記第2垂直半導体装置との間に介在し、両者を相互接続する配線とを有する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体基板上に配置される第1垂直半導体装置と、
前記第1垂直半導体装置上に配置される第2垂直半導体装置と、
前記第1垂直半導体装置と前記第2垂直半導体装置との間に介在し、両者を相互接続する配線とを有することを特徴とする垂直型半導体装置。
IPC (4件):
H01L 21/824
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
FI (2件):
H01L27/10 434
, H01L29/78 371
Fターム (25件):
5F083EP18
, 5F083EP22
, 5F083EP32
, 5F083EP76
, 5F083GA10
, 5F083JA04
, 5F083JA33
, 5F083JA34
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083KA11
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
, 5F083PR12
, 5F083PR25
, 5F083ZA12
, 5F101BA45
, 5F101BB02
, 5F101BD16
, 5F101BD22
, 5F101BD30
, 5F101BD34
, 5F101BH03
, 5F101BH11
引用特許:
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