特許
J-GLOBAL ID:201003037595308108
高次シラン組成物、膜付基板の製造方法、電気光学装置および電子デバイス
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
,
,
代理人 (3件):
大島 正孝
, 勝又 秀夫
, 白石 泰三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-003554
公開番号(公開出願番号):特開2010-159191
出願日: 2009年01月09日
公開日(公表日): 2010年07月22日
要約:
【課題】液相プロセスを用いて、安全かつ所望な膜厚の良質な膜を形成することができる高次シラン組成物を提供すること。【解決手段】上記高次シラン組成物は、高次シラン化合物および溶媒を含有する組成物であって、前記溶媒が、二重結合を1つまたは2つ有し、アルキル基を有さず、炭素および水素のみから構成され、屈折率が1.40〜1.51であり、比誘電率が3.0以下であり、そして分子量が180以下である環状炭化水素を含有してなることを特徴とする。【選択図】なし
請求項(抜粋):
高次シラン化合物および溶媒を含有する組成物であって、
前記溶媒が、二重結合を1つまたは2つ有し、アルキル基を有さず、炭素および水素のみから構成され、屈折率が1.40〜1.51であり、比誘電率が3.0以下であり、そして分子量が180以下である環状炭化水素を含有してなることを特徴とする、高次シラン組成物。
IPC (3件):
C01B 33/04
, H01L 21/316
, H01L 21/208
FI (3件):
C01B33/04
, H01L21/316 G
, H01L21/208 Z
Fターム (21件):
4G072AA01
, 4G072AA25
, 4G072BB09
, 4G072GG03
, 4G072HH50
, 4G072LL15
, 4G072MM36
, 4G072NN21
, 4G072RR03
, 4G072RR30
, 5F053AA06
, 5F053BB09
, 5F053DD01
, 5F053FF01
, 5F053FF05
, 5F053GG02
, 5F053HH01
, 5F058BC02
, 5F058BD04
, 5F058BF46
, 5F058BH03
引用特許: