特許
J-GLOBAL ID：201003038776311182
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
須山 佐一
, 川原 行雄
, 山下 聡
, 須山 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-269535
公開番号（公開出願番号）：特開2010-098225
出願日： 2008年10月20日
公開日（公表日）： 2010年04月30日
要約：
【課題】装置の厚さを薄くすることができ、特にパッケージオンパッケージ構造等での取付け高さを大幅に低くすることができるとともに、放熱性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】この半導体装置は、小サイズと大サイズの2個の半導体素子1,2を小サイズ半導体素子1が下段になるように対向配置し、マイクロバンプ3を介して電気的に接続した積層構造体20と、凹部6または開口部11を有するキャビティ基板5を備えている。そして、キャビティ基板5の凹部6または開口部11内に、少なくとも小サイズ半導体素子1が収容され、上段の大サイズ半導体素子2はスタッドバンプ7を介してキャビティ基板5に接続されている。そして、凹部6または開口部11内に封止樹脂層8が充填・形成され、大サイズ半導体素子2の裏面は封止樹脂層8からは露出している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
平面サイズの異なる2個の半導体素子の表面を互いに対向させて配置し、バンプを介して電気的に接続してなる積層構造体と、凹部または開口部を有する配線基板を備え、
前記配線基板の凹部または開口部内に、少なくとも前記2個の半導体素子のうちのより小サイズの半導体素子が収容されるとともに、より大サイズの半導体素子が前記配線基板にスタッドバンプを介して電気的に接続されており、かつ少なくとも前記大サイズの半導体素子の裏面が露出されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 25/10
, H01L 25/11
H01L25/08 B
, H01L25/14 Z
