特許
J-GLOBAL ID：201003039508879130
有機EL装置、有機EL装置の製造方法、及び電子機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上柳 雅誉
, 須澤 修
, 宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-008511
公開番号（公開出願番号）：特開2010-165612
出願日： 2009年01月19日
公開日（公表日）： 2010年07月29日
要約：
【課題】封止層におけるクラックを発生が低減された信頼性の高い有機EL装置を得る。【解決手段】周囲を隔壁で囲まれた島状の第1電極25と、第1電極25を覆う発光機能層26と、発光機能層26を覆う第2電極27と、からなる有機EL素子29が基板10上に規則的に配置されてなり、かつ有機EL素子29を覆う封止層85がさらに配置されてなる有機EL装置の製造方法であって、基板10上に第1絶縁材料層72を形成する第1工程と、第1絶縁材料層72上に画素電極25を形成する第2工程と、画素電極25を覆う第2絶縁材料層76を形成する第3工程と、第2絶縁材料層76を画素電極25の少なくとも一部が露出し、かつ隣り合う画素電極25間の中央部に凹部16が生じるようにパターニングする第4工程と、パターニング後の第2絶縁材料層76を加熱溶融して隔壁77とする第5工程と、を順に行なう有機EL装置の製造方法。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
周囲を隔壁で囲まれた島状の第1の電極と、前記第1の電極を覆う少なくとも有機EL層を含む発光機能層と、前記発光機能層を覆う第2の電極と、からなる有機EL素子が基板上に規則的に配置されてなり、かつ、前記有機EL素子を覆う封止層がさらに配置されてなる有機EL装置の製造方法であって、
前記基板上の全面に第1の絶縁材料層を形成する第1の工程と、
前記第1の絶縁材料層上に前記第1の電極を形成する第2の工程と、
前記第1の電極を覆う第2の絶縁材料層を形成する第3の工程と、
前記第2の絶縁材料層を、前記第1の電極の少なくとも一部が露出し、かつ隣り合う前記第1の電極間の中央部に該中央部の両隣りの領域に対して凹んだ凹部が形成されるようにパターニングする第4の工程と、
パターニング後の前記第2の絶縁材料層をメルトベークして隔壁とする第5の工程と、
を順に行なうことを特徴とする有機EL装置の製造方法。
IPC (5件)：
H05B 33/10
, H01L 51/50
, H05B 33/22
, H05B 33/12
, H05B 33/04
H05B33/10
, H05B33/14 A
, H05B33/22 Z
, H05B33/12 B
, H05B33/04
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC21
, 3K107DD89
, 3K107EE03
, 3K107EE48
, 3K107EE49
, 3K107EE50
, 3K107GG12
, 3K107GG28
