特許
J-GLOBAL ID：201003040339475316
ソフトリカバリーダイオード
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山崎 宏
, 田中 光雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-016968
公開番号（公開出願番号）：特開2010-177361
出願日： 2009年01月28日
公開日（公表日）： 2010年08月12日
要約：
【課題】ソフトリカバリー特性を損なうことなく、簡単な構成で逆回復過程における電圧上昇率を低減できるソフトリカバリーダイオードを提供する。【解決手段】n+型半導体基板12と、上記n+型半導体基板12上に形成されたn-型ベース層13と、上記n-型ベース層13上に形成されたn-型ベース層14と、上記n-型ベース層14上に形成されたp+型アノード層15とを備える。上記p+型アノード層15とn-型ベース層14でpn接合を形成する。上記p+型アノード層15上にアノード電極6を形成し、n+型半導体基板12の下側にカソード電極17を形成する。上記n-型ベース層14のキャリア寿命よりもn-型ベース層13のキャリア寿命を長くする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
p型不純物を有するp+型アノード層と、
上記p+型アノード層と一方の面でPN接合を形成するn型不純物を有する第1のn型ベース層と、
上記第1のn型ベース層の他方の面に一方の面が接する第2のn型ベース層と、
上記第2のn型ベース層の他方の面に一方の面が接するn型不純物を有するn+型半導体層と
を備え、
上記第1のn型ベース層のキャリア寿命よりも上記第2のn型ベース層のキャリア寿命が長いことを特徴とするソフトリカバリーダイオード。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L29/91 C
, H01L29/91 E
