特許

J-GLOBAL ID：201003040761576966

有機トランジスタ、有機トランジスタアレイ及び表示装置

発明者： 油谷 圭一郎 ,  鈴木 幸栄 ,  田野 隆徳
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-325771
公開番号（公開出願番号）：特開2010-147408
出願日： 2008年12月22日
公開日（公表日）： 2010年07月01日
要約：

【課題】マイクロコンタクトプリント法を利用し、簡便に、安定して微細なパターンを有する有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】マスク7を介して、基板5にエネルギーを付与することにより、相対的に、臨界表面張力の大きな高表面自由エネルギー部5aと臨界表面張力の小さな低表面自由エネルギー部5bとを形成する。マイクロコンタクトプリント法を用いて臨界表面張力の大きな高表面自由エネルギー部5aにインク3を付着させる。高表面自由エネルギー部5aでは、スタンプ1からインク3が転写されやすく、低表面自由エネルギー部5bでは、表面自由エネルギーが小さいためにスタンプ1からインク3が転写されにくくなるため、有機TFT素子の製造において、電極パターンの微細化や、電極層の厚膜化が可能となる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板、ゲート電極、アース電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層、層間絶縁膜および画素電極を有する有機薄膜トランジスタにおいて、 前記基板および/または前記ゲート絶縁膜は、エネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する材料を含んで構成され、臨界表面張力が相対的に大きな高表面自由エネルギー部と、相対的に小さな低表面自由エネルギー部との、少なくとも臨界表面張力の異なる2つの部位を有する濡れ性変化層を有しており、 前記濡れ性変化層の前記高表面自由エネルギー部に、マイクロコンタクトプリント法を用いて形成された前記ゲート電極、前記アース電極、前記ソース電極または前記ドレイン電極と、 前記ゲート絶縁膜上の前記濡れ性変化層に対して少なくとも前記低表面自由エネルギー部の部位に接して設けられた前記有機半導体層と、 を備えたことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (12件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/288 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/312 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/05 ,  H01L 21/027

FI (16件)：

H01L29/78 627C ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 617J ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L21/88 B ,  H01L21/28 A ,  H01L21/312 B ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L21/30 502D

Fターム (88件)：

2H092JA24 ,  2H092JA40 ,  2H092JA44 ,  2H092KA09 ,  2H092KA18 ,  2H092KA20 ,  2H092MA10 ,  2H092MA12 ,  2H092MA35 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD22 ,  4M104DD51 ,  4M104DD79 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG20 ,  4M104HH14 ,  5F033GG01 ,  5F033GG04 ,  5F033HH00 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK03 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ74 ,  5F033VV05 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX03 ,  5F046AA28 ,  5F058AA10 ,  5F058AB07 ,  5F058AB10 ,  5F058AC02 ,  5F058AE10 ,  5F058AF06 ,  5F058AF10 ,  5F058AG09 ,  5F058AG10 ,  5F058AH01 ,  5F058AH10 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE42 ,  5F110EE47 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F110HK41 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 積層構造体、積層構造体を用いた電子素子、これらの製造方法、電子素子アレイ及び表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-124292   出願人：株式会社リコー
• 親水性表面を有するシリコーン・エラストマー・スタンプおよびそれを製造する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-285671   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション, エコール・ポリテクニーク・フェデラール・ド・ローザンヌ