特許
J-GLOBAL ID：200903060812668925

積層構造体、積層構造体を用いた電子素子、これらの製造方法、電子素子アレイ及び表示装置

発明者：
近藤 均

近藤 均 について

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友野 英紀

友野 英紀 について

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田野 隆徳

田野 隆徳 について

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藤村 浩

藤村 浩 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (2件)： 柏木 慎史 ,  柏木 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-124292
公開番号（公開出願番号）：特開2005-310962
出願日： 2004年04月20日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】 印刷法のような低コストかつ材料使用効率の高い方法が適用でき、簡便に微細なパターンの形成が可能で、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有する積層構造体を提供する。【解決手段】 エネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する材料を含み、より臨界表面張力の大きな高表面エネルギー部3とより臨界表面張力の小さな低表面エネルギー部4との少なくとも臨界表面張力の異なる2つの部位を有する濡れ性変化層2と、この濡れ性変化層2に対して高表面エネルギー部3の部位に形成された導電層5と、濡れ性変化層2に対して少なくとも低表面エネルギー部4の部位に接して設けられた半導体層6と、により積層構造体1を構成することで、印刷法のような低コストかつ材料使用効率の高い方法で、簡便に製造できる微細な導電層パターン及び高移動度の半導体層6を有する積層構造体1を提供できるようにした。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
エネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する材料を含み、より臨界表面張力の大きな高表面エネルギー部とより臨界表面張力の小さな低表面エネルギー部との少なくとも臨界表面張力の異なる2つの部位を有する濡れ性変化層と、この濡れ性変化層に対して前記高表面エネルギー部の部位に形成された導電層と、前記濡れ性変化層に対して少なくとも前記低表面エネルギー部の部位に接して設けられた半導体層と、を有することを特徴とする積層構造体。
IPC (5件)：
H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00
FI (7件)：
H01L29/78 627C ,  H01L21/28 A ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 616K
Fターム (57件)：
2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JB21 ,  2H092MA10 ,  2H092MA22 ,  2H092MA28 ,  2H092NA27 ,  4M104AA01 ,  4M104AA06 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104DD22 ,  4M104DD51 ,  4M104EE03 ,  4M104EE18 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK41 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ01
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (4件)
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