積層構造体、積層構造体を用いた電子素子、これらの製造方法、電子素子アレイ及び表示装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：柏木慎史 , 柏木明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-124292
公開番号（公開出願番号）：特開2005-310962
出願日： 2004年04月20日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：

【課題】印刷法のような低コストかつ材料使用効率の高い方法が適用でき、簡便に微細なパターンの形成が可能で、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有する積層構造体を提供する。【解決手段】エネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する材料を含み、より臨界表面張力の大きな高表面エネルギー部3とより臨界表面張力の小さな低表面エネルギー部4との少なくとも臨界表面張力の異なる2つの部位を有する濡れ性変化層2と、この濡れ性変化層2に対して高表面エネルギー部3の部位に形成された導電層5と、濡れ性変化層2に対して少なくとも低表面エネルギー部4の部位に接して設けられた半導体層6と、により積層構造体1を構成することで、印刷法のような低コストかつ材料使用効率の高い方法で、簡便に製造できる微細な導電層パターン及び高移動度の半導体層6を有する積層構造体1を提供できるようにした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

エネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する材料を含み、より臨界表面張力の大きな高表面エネルギー部とより臨界表面張力の小さな低表面エネルギー部との少なくとも臨界表面張力の異なる2つの部位を有する濡れ性変化層と、この濡れ性変化層に対して前記高表面エネルギー部の部位に形成された導電層と、前記濡れ性変化層に対して少なくとも前記低表面エネルギー部の部位に接して設けられた半導体層と、を有することを特徴とする積層構造体。

IPC (5件)：

H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L29/786 , H01L51/00

FI (7件)：

H01L29/78 627C , H01L21/28 A , H01L21/288 Z , H01L29/28 , H01L29/78 618B , H01L29/78 626C , H01L29/78 616K

Fターム (57件)：

2H092JA24 , 2H092JA28 , 2H092JB21 , 2H092MA10 , 2H092MA22 , 2H092MA28 , 2H092NA27 , 4M104AA01 , 4M104AA06 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB05 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104DD22 , 4M104DD51 , 4M104EE03 , 4M104EE18 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 5F110AA04 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110EE01 , 5F110EE03 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK41 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN24 , 5F110NN33 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110QQ01

引用特許：

出願人引用 (3件)

電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-187318 出願人：株式会社リコー
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-064576 出願人：松下電器産業株式会社
導電膜パターンの形成方法および電気光学装置、電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-197801 出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (4件)

パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-267054 出願人：富士写真フイルム株式会社
特開平1-259563
パターン形成体の製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-064282 出願人：大日本印刷株式会社

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