特許

J-GLOBAL ID：201003041757568254

光デバイス及びその製造方法

発明者： 大竹 守 ,  木村 直樹
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (3件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-042174
公開番号（公開出願番号）：特開2010-197686
出願日： 2009年02月25日
公開日（公表日）： 2010年09月09日
要約：

【課題】光伝送路を伝送する光量の温度依存性を低減でき、しかも低コストで作製可能な光デバイスを提供する。【解決手段】受発光部1aを有する光半導体素子1と、出入射部2aを有する光伝送路2と、光半導体素子1が第1の位置41に固定されるとともに、光伝送路2が第1の位置41から離間した第2の位置42に固定される平面板4とを備える光デバイスであって、第1の位置41と第2の位置42との距離Dが平面板4の熱膨張及び熱収縮によって変化することにより、受発光部1aに対する出入射部2aの相対位置が変化し、その相対位置変化によって、光半導体素子1の受発光部1aと光伝送路2の出入射部2aとの光結合効率が、使用温度範囲内の高温側において高く、かつ低温側において低くなるように、光半導体素子1と光伝送路2とが光結合されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

受発光部を有する光半導体素子と、出入射部を有する光伝送路と、前記光半導体素子が第1の位置に固定されるとともに、前記光伝送路が前記第1の位置から離間した第2の位置に固定される平面板とを備える光デバイスであって、 前記第1の位置と前記第2の位置との距離が前記平面板の熱膨張及び熱収縮によって変化することにより、前記受発光部に対する前記出入射部の相対位置が変化し、その相対位置変化によって、前記光半導体素子の受発光部と前記光伝送路の出入射部との光結合効率が、使用温度範囲内の高温側において高く、かつ低温側において低くなるように、前記光半導体素子と前記光伝送路とが光結合されていることを特徴とする光デバイス。

IPC (1件)：

G02B 6/42

FI (1件)：

G02B6/42

Fターム (24件)：

2H137AB05 ,  2H137AB06 ,  2H137AB11 ,  2H137AC04 ,  2H137AC05 ,  2H137BA04 ,  2H137BA06 ,  2H137BA52 ,  2H137BA55 ,  2H137BB03 ,  2H137BB13 ,  2H137BB25 ,  2H137BB31 ,  2H137BC02 ,  2H137BC51 ,  2H137BC73 ,  2H137CB22 ,  2H137CB24 ,  2H137CB32 ,  2H137CB33 ,  2H137CC01 ,  2H137CC05 ,  2H137FA00 ,  2H137HA06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光結合モジュールの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-075129   出願人：日本電気株式会社
• 半導体レーザモジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-383319   出願人：古河電気工業株式会社