特許

J-GLOBAL ID：201003042421982113

低誘電率絶縁体材料層の形成方法及び該方法で形成された層又はパターン

発明者： ワン シリャン ,  チー ウェイ ,  海老根 俊裕 ,  五十住 宏 ,  笠井 正紀
出願人/特許権者： DIC株式会社
代理人 (1件)： 河野 通洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-024772
公開番号（公開出願番号）：特開2010-182862
出願日： 2009年02月05日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：

【課題】 塗布法又は印刷法により有機電子素子を形成するために用いる低誘電率絶縁材料層を低温で形成する方法、該方法で形成された層又はパターン及び有機電子素子を提供する。【解決手段】 (a)基材上又は該電子素子を構成する導電層乃至は半導体層上に、フルオロポリマー分散体からなる第一の絶縁層形成材料を塗布又は印刷する工程、(b)フルオロポリマー分散体の乾燥皮膜を形成する工程、(c)フルオロカーボン共重合体溶液からなる第二の絶縁層形成材料を前記乾燥皮膜上に塗布又は印刷する工程、(d)フルオロカーボン共重合体溶液の乾燥皮膜を形成する工程を有する低誘電率絶縁体材料層の形成方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

有機電子素子に用いる、低誘電率絶縁体材料層を形成する方法であって、 (a)基材上又は該電子素子を構成する導電層乃至は半導体層上に、フルオロポリマー分散体からなる第一の絶縁層形成材料を塗布又は印刷する工程、 (b)フルオロポリマー分散体の乾燥皮膜を形成する工程、 (c)フルオロカーボン共重合体溶液からなる第二の絶縁層形成材料を前記フルオロカーボン分散体の乾燥皮膜上に塗布又は印刷する工程、 (d)フルオロカーボン共重合体溶液の乾燥皮膜を形成する工程と、を有することを特徴とする低誘電率絶縁体材料層の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/312 ,  H01B 19/02 ,  H01B 17/56 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522

FI (5件)：

H01L21/312 A ,  H01B19/02 ,  H01B17/56 L ,  H01L21/90 Q ,  H01L21/90 S

Fターム (21件)：

5F033RR24 ,  5F033SS21 ,  5F033TT03 ,  5F033WW03 ,  5F058AB05 ,  5F058AB06 ,  5F058AB07 ,  5F058AB10 ,  5F058AC05 ,  5F058AD06 ,  5F058AF04 ,  5F058AF06 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02 ,  5G333AA01 ,  5G333AB12 ,  5G333BA04 ,  5G333CA03 ,  5G333CB17 ,  5G333DA03

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 有機誘電体を有する有機電界効果トランジスタ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-553638   出願人：アベシア・リミテッド
• テトラフルオロエチレン共重合体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-197798   出願人：ソルヴェイソレクシスエス.ピー.エー.
• 米国特許5889104号公報
  
• 米国特許7029945号公報