特許
J-GLOBAL ID：200903014885787718

有機誘電体を有する有機電界効果トランジスタ

発明者：
リーミング,スティーブン・ウィリアム

リーミング,スティーブン・ウィリアム について

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モヒアルディン-クハファフ,ソード

モヒアルディン-クハファフ,ソード について

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オジアー,サイモン・ドミニク

オジアー,サイモン・ドミニク について

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ベレス,ジャノス

ベレス,ジャノス について


出願人/特許権者：
アベシア・リミテッド

アベシア・リミテッド について


代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  野矢 宏彰
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-553638
公開番号（公開出願番号）：特表2005-513788
出願日： 2002年11月21日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
a)溶液から有機半導体層を堆積させる工程、およびb)溶液から低誘電率絶縁材料の層を堆積させて、その低誘電率絶縁材料が上記有機半導体層と接触するようにゲート絶縁体の少なくとも一部を形成する工程を含み、ここで上記低誘電率絶縁材料は比誘電率が1.1から3.0未満までである有機電界効果デバイスを製造する方法が提供される。加えて、上記方法によって製造された有機電界効果デバイスが提供される。
請求項（抜粋）：
有機電界効果デバイスを製造する方法であって、 a)溶液から有機半導体層を堆積させ;そして b)溶液から低誘電率絶縁材料の層を堆積させて、その低誘電率絶縁材料が上記有機半導体層と接触するようにゲート絶縁体の少なくとも一部を形成する 工程を含み、ここで上記低誘電率絶縁材料は比誘電率が1.1から3.0未満までである上記の方法。
IPC (5件)：
H01L29/786 ,  H01L21/312 ,  H01L21/336 ,  H01L21/368 ,  H01L51/00
FI (10件)：
H01L29/78 617T ,  H01L21/312 A ,  H01L21/312 M ,  H01L21/368 L ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/28
Fターム (49件)：
5F053AA06 ,  5F053BB09 ,  5F053DD19 ,  5F053FF01 ,  5F053JJ01 ,  5F053JJ03 ,  5F053LL10 ,  5F058AB06 ,  5F058AC05 ,  5F058AC06 ,  5F058AC10 ,  5F058AD02 ,  5F058AD06 ,  5F058AD07 ,  5F058AD09 ,  5F058AD10 ,  5F058AD12 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F058BD05 ,  5F058BD07 ,  5F058BD18 ,  5F058BD19 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA28 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32
引用特許：
審査官引用 (6件)
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