特許
J-GLOBAL ID:201003042893309790
レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (21件):
鈴江 武彦
, 蔵田 昌俊
, 河野 哲
, 中村 誠
, 福原 淑弘
, 峰 隆司
, 白根 俊郎
, 村松 貞男
, 野河 信久
, 幸長 保次郎
, 河野 直樹
, 砂川 克
, 風間 鉄也
, 勝村 紘
, 河井 将次
, 佐藤 立志
, 岡田 貴志
, 堀内 美保子
, 竹内 将訓
, 市原 卓三
, 山下 元
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-178796
公開番号(公開出願番号):特開2010-061116
出願日: 2009年07月31日
公開日(公表日): 2010年03月18日
要約:
【課題】 半導体製造の微細なパターン形成に用いられ、従来品よりも露光ラチチュード、LWR、パターン倒れ性能に優れた感光性組成物を提供することにある。【解決手段】 第一のポリマー及び第二のポリマーを含む2種以上のポリマーと、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するレジスト組成物であって、該レジスト組成物を用いて形成される乾燥塗膜における少なくとも第一のポリマー及び第二のポリマーの配合比が、レジスト膜の空気界面から支持体までの深さ方向に連続的に変化する傾斜型分布を有し、且つ、レジスト膜の上部における第一のポリマーの配合比が第二のポリマーの配合比より高く、レジスト膜の下部における第二のポリマーの配合比が第一のポリマーの配合比より高いことを特徴とするレジスト組成物。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
第一のポリマー及び第二のポリマーを含む2種以上のポリマーと、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するレジスト組成物であって、該レジスト組成物を用いて形成される乾燥塗膜における少なくとも第一のポリマー及び第二のポリマーの配合比が、レジスト膜の空気界面から支持体までの深さ方向の全体又は一部に連続的に変化する傾斜型分布を有し、且つ、レジスト膜の上部における第一のポリマーの配合比が第二のポリマーの配合比より高く、レジスト膜の下部における第二のポリマーの配合比が第一のポリマーの配合比より高いことを特徴とするレジスト組成物。
IPC (3件):
G03F 7/039
, C08F 220/28
, H01L 21/027
FI (3件):
G03F7/039 601
, C08F220/28
, H01L21/30 502R
Fターム (69件):
2H125AF17P
, 2H125AF18P
, 2H125AF21P
, 2H125AF33P
, 2H125AF36P
, 2H125AF45P
, 2H125AF70P
, 2H125AH11
, 2H125AH14
, 2H125AH15
, 2H125AH16
, 2H125AH17
, 2H125AH19
, 2H125AH22
, 2H125AH24
, 2H125AH25
, 2H125AH29
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ64X
, 2H125AJ65X
, 2H125AJ68X
, 2H125AJ69X
, 2H125AL02
, 2H125AL03
, 2H125AL22
, 2H125AN11P
, 2H125AN38P
, 2H125AN39P
, 2H125AN42P
, 2H125AN45P
, 2H125AN51P
, 2H125AN54P
, 2H125AN57P
, 2H125AN63P
, 2H125AN65P
, 2H125AN88P
, 2H125BA01P
, 2H125BA02P
, 2H125BA26P
, 2H125CA12
, 2H125CB09
, 2H125CC03
, 2H125CC15
, 2H125FA03
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL08S
, 4J100AL08T
, 4J100BA03Q
, 4J100BA03S
, 4J100BA11P
, 4J100BA15P
, 4J100BA40P
, 4J100BB18R
, 4J100BB18S
, 4J100BC03T
, 4J100BC04R
, 4J100BC04S
, 4J100BC08S
, 4J100BC09Q
, 4J100BC09R
, 4J100BC53P
, 4J100CA03
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100DA01
, 4J100DA04
, 4J100JA38
引用特許:
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