特許

J-GLOBAL ID：201003043104533431

有機トランジスタアクティブ基板、有機トランジスタアクティブ基板の製造方法および有機トランジスタアクティブ基板を用いた電気泳動ディスプレイ

発明者： 水上 智
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-065634
公開番号（公開出願番号）：特開2010-219375
出願日： 2009年03月18日
公開日（公表日）： 2010年09月30日
要約：

【課題】インクジェット法による有機半導体層のパターン形成を改善する。【解決手段】基板1上に、ゲート電極2を形成し、該ゲート電極2上にゲート絶縁膜3を形成し、該絶縁膜3上にソース電極4およびドレイン電極5を形成し、該ソース・ドレイン電極4,5上に有機半導体材料からなる活性層6を形成することにより薄膜トランジスタを構成させ、該薄膜トランジスタ上に層間膜7を堆積し、ソース電極4、ドレイン電極5の一方と層間膜7に設けられたスルーホール9を介して電気的導通がとられた画素電極8を積層するようにした有機トランジスタアクティブ基板10であって、ソース・ドレイン電極4,5上に2つの異なるSAM形成分子種(第1のSAM形成分子種12、第2のSAM形成分子種14)を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、第1の電極を形成し、該第1の電極上に第1の絶縁膜を形成し、該第1の絶縁膜上に第2の対電極を形成し、該第2の対電極上に有機半導体材料からなる活性層を形成することにより有機トランジスタを構成させ、該有機トランジスタ上に第2の絶縁膜を堆積し、前記第2の対電極の一方と前記第2の絶縁膜に設けられたスルーホールを介して電気的導通がとられた第3の電極を積層するようにした有機トランジスタアクティブ基板であって、 前記第2の対電極上に、2つの異なるSAM形成分子種が形成されていることを特徴とする有機トランジスタアクティブ基板。

IPC (6件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  G02F 1/167

FI (7件)：

H01L29/78 618A ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220D ,  H01L29/28 370 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627C ,  G02F1/167

Fターム (57件)：

2K101AA04 ,  2K101BA02 ,  2K101BD61 ,  2K101EC08 ,  2K101ED13 ,  2K101EG72 ,  2K101EJ31 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG07 ,  5F110GG42 ,  5F110GG45 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK32 ,  5F110HK42 ,  5F110HL01 ,  5F110HL22 ,  5F110HL27 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ08

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 有機トランジスタアクティブ基板とその製造方法および該有機トランジスタアクティブ基板を用いた電気泳動ディスプレイ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-190067   出願人：株式会社リコー