特許

J-GLOBAL ID：201003044209245080

薄膜太陽電池の製法

発明者： 秋山 雅英 ,  堀内 伸起 ,  大隈 丈司 ,  福留 正人
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-257844
公開番号（公開出願番号）：特開2010-141307
出願日： 2009年11月11日
公開日（公表日）： 2010年06月24日
要約：

【課題】光吸収層へのアルカリ金属の拡散を確実にかつ十分に行うことができるとともに、製造コストが安価な薄膜太陽電池の製法を提供する。【解決手段】第1電極層2と第2電極層5との間に光吸収層3を有する薄膜太陽電池の製法であって、元素としてCu、Inおよびアルカリ金属を含有する光吸収層溶液を作製する工程と、該光吸収層溶液を前記第1電極層上に塗布して乾燥させることにより前駆体を作製する工程と、該前駆体を還元雰囲気で熱処理し、前記第1電極層2上に、元素としてCu、Inおよびアルカリ金属を含有する前記光吸収層3を形成する工程と、該光吸収層3上に前記第2電極層5を形成する工程とを具備する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1電極層と第2電極層との間に光吸収層を有する薄膜太陽電池の製法であって、元素としてCu、III-B族金属よびアルカリ金属を含有する光吸収層溶液を作製する工程と、該光吸収層溶液を前記第1電極層上に塗布して乾燥させることにより前駆体を作製する工程と、該前駆体を還元雰囲気で熱処理し、前記第1電極層上に、元素としてCu、Inおよびアルカリ金属を含有する前記光吸収層を形成する工程と、該光吸収層上に前記第2電極層を形成する工程とを具備することを特徴とする薄膜太陽電池の製法。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (7件)：

5F051AA10 ,  5F051BA14 ,  5F051CB13 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA02 ,  5F051GA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 混合金属カルコゲナイドナノ粒子の溶液合成法および前駆体膜のスプレー析出法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-528736   出願人：ミッドウエストリサーチインスティチュート
• 化合物半導体膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-084197   出願人：セントラル硝子株式会社
• 化合物半導体薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-272414   出願人：シントーファイン株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• A High-Efficiency Solution-Deposited Thin-Film Photovoltaic Device