特許

J-GLOBAL ID：201003044897759288

表面処理シリカ粒子の製造方法、表面処理シリカ粒子、エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置

発明者： 小西 孝憲
出願人/特許権者： パナソニック電工株式会社
代理人 (5件)： 小谷 悦司 ,  小谷 昌崇 ,  麻野 義夫 ,  江川 勝 ,  大西 裕人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-125938
公開番号（公開出願番号）：特開2010-275334
出願日： 2009年05月26日
公開日（公表日）： 2010年12月09日
要約：

【課題】液状のエポキシ樹脂組成物に含有させても、得られるエポキシ樹脂組成物の流動性の低下を抑制でき、さらに、凝集の発生を抑制できる表面処理シリカ粒子を製造する方法を提供することを目的とする。【解決手段】シリカ粒子の表面にプラズマ処理を施す工程と、前記プラズマ処理が施されたシリカ粒子100質量部に対して、エポキシ樹脂及び硬化剤を含む配合物30〜40質量部を混合する工程とを備えることを特徴とする表面処理シリカ粒子の製造方法を用いる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

シリカ粒子の表面にプラズマ処理を施す工程と、 前記プラズマ処理が施されたシリカ粒子100質量部に対して、エポキシ樹脂及び硬化剤を含む配合物30〜40質量部を混合する工程とを備えることを特徴とする表面処理シリカ粒子の製造方法。

IPC (7件)：

C09C 3/10 ,  C08L 63/00 ,  C08K 9/04 ,  C09C 1/28 ,  C01B 33/18 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (6件)：

C09C3/10 ,  C08L63/00 C ,  C08K9/04 ,  C09C1/28 ,  C01B33/18 C ,  H01L23/30 R

Fターム (43件)：

4G072AA25 ,  4G072AA41 ,  4G072BB05 ,  4G072BB07 ,  4G072DD05 ,  4G072GG03 ,  4G072HH14 ,  4G072QQ06 ,  4G072QQ09 ,  4G072QQ20 ,  4G072TT01 ,  4G072UU09 ,  4J002CC042 ,  4J002CD021 ,  4J002CD041 ,  4J002CD051 ,  4J002CD061 ,  4J002CD071 ,  4J002CD111 ,  4J002CD121 ,  4J002DJ018 ,  4J002EF126 ,  4J002EN076 ,  4J002EU097 ,  4J002EU117 ,  4J002FB048 ,  4J002FB268 ,  4J002FD018 ,  4J002FD142 ,  4J002FD146 ,  4J002FD157 ,  4J002GQ05 ,  4J037AA18 ,  4J037CC23 ,  4J037DD05 ,  4J037EE02 ,  4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA04 ,  4M109DB16 ,  4M109EA02 ,  4M109EB02 ,  4M109EB13

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-370159
  
• 液状エポキシ樹脂封止材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-147736   出願人：シーアイ化成株式会社
• 半導体封止材用カーボンブラック
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-169518   出願人：三菱化学株式会社