特許

J-GLOBAL ID：201003045155132183

平滑なウェハの製造方法

発明者： ラリー・ダブリュー・シャイブ ,  ブライアン・エル・ギルモア
出願人/特許権者： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 鮫島 睦 ,  田村 恭生
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-544170
公開番号（公開出願番号）：特表2010-515261
出願日： 2007年12月14日
公開日（公表日）： 2010年05月06日
要約：

ウェハの粗研磨および熱的なアニールの組み合わせによって、半導体ウェハの表面粗さを減少させる方法。

請求項（抜粋）：

おもて面および裏面を有する半導体ウェハの表面粗さを減少させる方法であって、該方法は: ウェハのおもて面を研磨することであって、約1μm×約1μm〜約100μm×約100μmのスキャンサイズで測定する場合、該研磨工程は、ウェハのおもて面の粗さを約1.5Å以下に減少させないこと;および 不活性ガス、水素またはそれらの混合物を含んで成る雰囲気において、少なくとも約1050°Cの温度で少なくとも約5分間の時間、研磨したウェハを熱的にアニールすること を含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  H01L 21/02

FI (4件)：

H01L21/304 621B ,  H01L21/02 B ,  H01L21/304 622P ,  H01L21/304 621A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• シリコンウエーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-090135   出願人：東芝セラミックス株式会社, 新潟東芝セラミックス株式会社