特許
J-GLOBAL ID：201003045591771558
半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
藤村 元彦
, 高野 信司
, 永岡 重幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-229467
公開番号（公開出願番号）：特開2010-062493
出願日： 2008年09月08日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：
【課題】光取り出し効率および成長基板剥離後の製造工程におけるハンドリング性を改善した半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 第1の導電型を有する第1半導体層と、第2の導電型を有する第2半導体層と、第1半導体層と第2半導体層との間に設けられた活性層と、第2の半導体層の上に設けられた極性反転層と、極性反転層の上に設けられた第2の導電型を有する第3半導体層と、を含む。第1乃至第3半導体層の結晶配向は極性反転層を境に互いに反転しており、第1および第3半導体層は、その最表面が共通の構成元素からなる極性面で構成され、表面に結晶構造由来の六角錐状突起が形成されている。第1乃至第3半導体層は、ウルツ鉱構造のIII族窒化物半導体からなり、結晶構造のC軸方向に沿って積層される。また、第1および第3半導体層は、その最表面が窒素元素からなる極性面で構成される。六角錐状突起は、ウェットエッチング処理により形成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の導電型を有する第1半導体層と、
第2の導電型を有する第2半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた活性層と、
前記第2の半導体層の上に設けられた極性反転層と、
前記極性反転層の上に設けられた前記第2の導電型を有する第3半導体層と、を
含む半導体層を有する半導体発光素子であって、
前記第1乃至第3半導体層の結晶配向は前記極性反転層を境に互いに反転しており、
前記第1および第3半導体層は、その最表面が共通の構成元素からなる極性面で構成され、表面に結晶構造由来の六角錐状突起が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F041AA31
, 5F041CA05
, 5F041CA23
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
