半導体部材及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：大塚康徳 , 高柳司郎 , 大塚康弘 , 木村秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-035253
公開番号（公開出願番号）：特開2007-214500
出願日： 2006年02月13日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：

【課題】発光効率の向上に有利な半導体部材及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体部材の製造方法は、凸部10aを有する下地基板10の凸部10aの上に複数の半導体層21、22、23、24を含む積層構造体20を形成する積層工程と、積層構造体20から下地基板10を除去する除去工程とを含み、積層工程は、凸部10aの上に断面において末広がりに第1半導体を21成長させる工程を含む。【選択図】図1B

請求項（抜粋）：

凸部を有する下地基板の前記凸部の上に複数の半導体層を含む積層構造体を形成する積層工程と、前記積層構造体から前記下地基板を除去する除去工程とを含み、前記積層工程は、前記凸部の上に断面において末広がりに第1半導体を成長させる工程を含むことを特徴とする半導体部材の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (14件)：

5F041AA03 , 5F041CA05 , 5F041CA22 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA73 , 5F041CA74 , 5F041CA76 , 5F041CA77 , 5F041CA83 , 5F041CA92

引用特許：

出願人引用 (11件)

半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-171301 出願人：住友電気工業株式会社
特許第3659201号公報
窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-120576 出願人：シャープ株式会社

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