特許
J-GLOBAL ID：201003046009688877
熱電変換素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-042056
公開番号（公開出願番号）：特開2010-199276
出願日： 2009年02月25日
公開日（公表日）： 2010年09月09日
要約：
【課題】本発明は高い可撓性、発電効率および耐久性を有する熱電変換素子を、効率よく製造する方法を提供することを目的とする。【解決手段】支持体上に、p型半導体素子、n型半導体素子および絶縁体を有する熱電変換素子において、前記p型半導体素子および前記n型半導体素子を塗布または印刷により形成することを特徴とする熱電変換素子の製造方法。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
支持体上に、p型半導体素子、n型半導体素子および絶縁体を有する熱電変換素子において、前記p型半導体素子および前記n型半導体素子を塗布または印刷により形成することを特徴とする熱電変換素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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