特許

J-GLOBAL ID：200903036049461364

熱電変換素子及び熱電変換モジュール並びに熱電変換モジュールの製造方法

発明者： 豊田 丈紫 ,  中村 静夫 ,  滝本 幹夫 ,  木谷 直樹 ,  亀井 寛 ,  水越 裕治 ,  増井 芽
出願人/特許権者： 石川県 ,  ニッコー株式会社 ,  株式会社アクトリー
代理人 (2件)： 大家 邦久 ,  林 篤史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-109210
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270410
出願日： 2007年04月18日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：

【課題】高い熱電変換効率を確保でき、低コストで熱的安定性、化学的耐久性にも優れた薄膜構造の熱電変換素子及び熱電変換モジュール、並びにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】この熱電変換モジュールは、絶縁体(10)の上面に離隔して形成された複数個の第1の電極膜(11,12,13)と、この第1の電極膜の上面にp型とn型が交互に離隔して配置された複数個のp型及びn型熱電半導体素子膜(16,19)及び(17,18)と、この第1の電極膜の離隔位置をまたぐようにp型熱電半導体素子膜(19)とn型熱電半導体素子膜(18)とを接続する第2の電極膜(20)とを有し、端部に位置するp型及びn型熱電半導体素子膜(16,17)にそれぞれ端子電極が接続されている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

熱電変換材料の粉末に結着材を混合してペースト化したものを電極上面に薄膜状に硬化させたことを特徴とする熱電変換素子。

IPC (4件)：

H01L 35/34 ,  H01L 35/22 ,  H01L 35/32 ,  H02N 11/00

FI (4件)：

H01L35/34 ,  H01L35/22 ,  H01L35/32 A ,  H02N11/00 A

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 熱電変換素子の接合方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-224112   出願人：三菱重工業株式会社
• 熱電変換素子及び熱電変換モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-336809   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• 熱電半導体素子、熱電変換モジュールおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-025335   出願人：横浜抵抗器株式会社, 株式会社コバヤシ
• 薄膜状熱電変換材料及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-071311   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

審査官引用 (4件)

• 熱電モジュールの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-214792   出願人：ヤマハ株式会社
• 熱電変換素子の電極接合構造、熱電変換素子の電極接合方法、熱電変換モジュール、及び熱電変換モジュールの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-164205   出願人：松下電工株式会社
• 熱電半導体素子、熱電変換モジュールおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-025335   出願人：横浜抵抗器株式会社, 株式会社コバヤシ
• 特開平3-270084