特許
J-GLOBAL ID：201003046385383416
表面プラズモン増強蛍光センサおよび表面プラズモン増強蛍光センサに用いられるチップ構造体
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
牧村 浩次
, 八本 佳子
, 竹澤 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-049340
公開番号（公開出願番号）：特開2010-203900
出願日： 2009年03月03日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：
【課題】励起光を金属薄膜に照射して粗密波(表面プラズモン)を生じさせる際において、ノイズ成分となり得る迷光の発生を抑え、超高精度な蛍光検出を可能とする表面プラズモン増強蛍光センサおよび表面プラズモン増強蛍光センサに用いられるチップ構造体を提供すること。【解決手段】表面プラズモン増強蛍光センサに用いられるチップ構造体であって、前記チップ構造体は、金属薄膜と、前記金属薄膜の一方側面に形成された反応層と、前記金属薄膜の他方側面に形成された誘電体部材と、から少なくとも構成され、前記誘電体部材の外側から前記金属薄膜に励起光を照射して前記金属薄膜上の電場を増強させる際において、前記誘電体部材が、前記励起光が入射する入射面近傍に、入射面で反射する入射面反射光を低減させる入射面側反射光低減部を有することを特徴とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
表面プラズモン増強蛍光センサに用いられるチップ構造体であって、
前記チップ構造体は、
金属薄膜と、
前記金属薄膜の一方側面に形成された反応層と、
前記金属薄膜の他方側面に形成された誘電体部材と、
から少なくとも構成され、
前記誘電体部材の外側から前記金属薄膜に励起光を照射して前記金属薄膜上の電場を増強させる際において、
前記誘電体部材が、
前記励起光が入射する入射面近傍に、入射面で反射する入射面反射光を低減させる入射面側反射光低減部を有することを特徴とする表面プラズモン増強蛍光センサに用いられるチップ構造体。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (19件)：
2G043BA16
, 2G043CA03
, 2G043EA01
, 2G043GA02
, 2G043GA03
, 2G043GB03
, 2G043GB16
, 2G043GB17
, 2G043GB28
, 2G043HA01
, 2G043JA02
, 2G043JA03
, 2G043KA01
, 2G043KA02
, 2G043KA03
, 2G043KA09
, 2G043LA02
, 2G043LA03
, 2G043MA16
