特許

J-GLOBAL ID：201003046485051933

半導体装置の製造方法

発明者： 山崎 努 ,  谷上 拓司 ,  小平 真継
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-000050
公開番号（公開出願番号）：特開2010-157654
出願日： 2009年01月05日
公開日（公表日）： 2010年07月15日
要約：

【課題】高濃度ドーパント拡散層と低濃度ドーパント拡散層とを有する半導体装置の製造工程を簡略化することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板の表面上に第1導電型または第2導電型のドーパントを含有する低濃度ドーパント拡散剤を塗布する工程と、低濃度ドーパント拡散剤上に低濃度ドーパント拡散剤よりもドーパントの濃度が高い高濃度ドーパント拡散剤を塗布する工程と、低濃度ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによって低濃度ドーパント拡散層を形成する工程と、高濃度ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによって高濃度ドーパント拡散層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面上に第1導電型または第2導電型のドーパントを含有する低濃度ドーパント拡散剤を塗布する工程と、 前記低濃度ドーパント拡散剤上に前記低濃度ドーパント拡散剤よりも前記ドーパントの濃度が高い高濃度ドーパント拡散剤を塗布する工程と、 前記低濃度ドーパント拡散剤から前記半導体基板に前記ドーパントを拡散させることによって低濃度ドーパント拡散層を形成する工程と、 前記高濃度ドーパント拡散剤から前記半導体基板に前記ドーパントを拡散させることによって高濃度ドーパント拡散層を形成する工程とを含む、半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/225

FI (2件)：

H01L31/04 A ,  H01L21/225 R

Fターム (16件)：

5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051BA14 ,  5F051CB20 ,  5F051DA03 ,  5F051FA06 ,  5F051FA15 ,  5F051GA04 ,  5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151BA14 ,  5F151CB20 ,  5F151DA03 ,  5F151FA06 ,  5F151FA15 ,  5F151GA04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 太陽電池の製造方法及び太陽電池並びに半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-127950   出願人：信越半導体株式会社, 直江津電子工業株式会社, 信越化学工業株式会社