特許
J-GLOBAL ID：200903022484834490

太陽電池の製造方法及び太陽電池並びに半導体装置の製造方法

発明者：
大塚 寛之

大塚 寛之 について

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高橋 正俊

高橋 正俊 について

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石川 直揮

石川 直揮 について

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斎須 重徳

斎須 重徳 について

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植栗 豊敬

植栗 豊敬 について

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生島 聡之

生島 聡之 について

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渡部 武紀

渡部 武紀 について

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赤塚 武

赤塚 武 について

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大西 力

大西 力 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について

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直江津電子工業株式会社

直江津電子工業株式会社 について

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信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-127950
公開番号（公開出願番号）：特開2006-310373
出願日： 2005年04月26日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：
【課題】オーミックコンタクトを得ながら、受光面の電極以外の部分での表面再結合およびエミッタ内の再結合を抑制することにより、光電変換効率を向上させた太陽電池を、簡便かつ容易な方法により安価に製造することができる太陽電池の製造方法及び太陽電池、並びに半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】第1導電型の半導体基板にpn接合を形成して太陽電池を製造する方法であって、少なくとも、前記第1導電型の半導体基板上にドーパントとドーパント飛散防止剤とを含む第1塗布剤と少なくとも第1塗布剤に接するようにドーパントを含む第2塗布剤とを塗布した後、拡散熱処理により、第1塗布剤の塗布により形成される第1拡散層と、第2塗布剤の塗布により形成され、第1拡散層より導電率が低い第2拡散層とを同時に形成することを特徴とする太陽電池の製造方法及び太陽電池、並びに半導体装置の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板にpn接合を形成して太陽電池を製造する方法であって、少なくとも、前記第1導電型の半導体基板上にドーパントとドーパント飛散防止剤とを含む第1塗布剤と少なくとも第1塗布剤に接するようにドーパントを含む第2塗布剤とを塗布した後、拡散熱処理により、第1塗布剤の塗布により形成される第1拡散層と、第2塗布剤の塗布により形成され、第1拡散層より導電率が低い第2拡散層とを同時に形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (2件)：
H01L31/04 X ,  H01L31/04 A
Fターム (7件)：
5F051AA02 ,  5F051AA16 ,  5F051CB13 ,  5F051CB20 ,  5F051CB21 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (27件)
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