特許
J-GLOBAL ID：201003046648900534
液浸露光方法および液浸露光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-201709
公開番号（公開出願番号）：特開2010-040748
出願日： 2008年08月05日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：
【課題】部分液浸露光法を用いた液浸リソグラフィ処理において、基板エッジ部での液浸液のウェハステージの移動に対する追従性を確保することができる液浸露光方法を提供する。【解決手段】素子が形成される領域である中央部と、中央部の周囲に形成され、端部に向かって厚さが減少する領域であるエッジ部と、を有し、上面に被加工膜が形成された基板の中央部を含む領域上に下層膜を形成する工程と、下層膜を形成した基板上の中央部と、エッジ部の中央部との境界から端部までの範囲であるベベル部に、基板と下層膜よりも疎水性の高い被処理膜を形成する工程と、部分液浸露光方法によって露光を行い、被処理膜に潜像を形成する工程と、被処理膜を現像する工程と、を含む。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
素子が形成される領域である中央部と、前記中央部の周囲に形成され、端部に向かって厚さが減少する領域であるエッジ部と、を有し、上面に被加工膜が形成された基板の前記中央部を含む領域上に下層膜を形成する下層膜形成工程と、
前記下層膜を形成した前記基板上の中央部と、前記エッジ部の前記中央部との境界から前記端部までの範囲であるベベル部に、前記基板と前記下層膜よりも疎水性の高い被処理膜を形成する被処理膜形成工程と、
部分液浸露光方法によって露光を行い、前記被処理膜に潜像を形成する露光工程と、
前記被処理膜を現像する現像工程と、
を含むことを特徴とする液浸露光方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L21/30 515D
, H01L21/30 575
, H01L21/30 577
, G03F7/20 521
5F046BA03
, 5F046CB01
, 5F046CB26
, 5F046DA07
, 5F046DA27
, 5F046JA15
, 5F046JA22
, 5F046PA01
