DNAセンシング方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-019756
公開番号（公開出願番号）：特開2010-172290
出願日： 2009年01月30日
公開日（公表日）： 2010年08月12日
要約：

【解決手段】半導体上に反応ゲート絶縁部として絶縁層が形成された電界効果型トランジスタの絶縁層の上に、反応性官能基を有する有機単分子膜を形成し、有機単分子膜に塩基数3〜35の短鎖プローブDNAを、反応性官能基を介して結合させ、プローブDNAに対し、ターゲットDNAをハイブリダイゼーション反応させ、ハイブリダイゼーション反応により形成された二本鎖DNAを金属カチオンで修飾した後、金属カチオンで修飾された二本鎖DNAを緩衝液に接触させて、ハイブリダイゼーション反応によるプローブDNAの負電荷の変化により生じる絶縁層の表面電位変化を検出する。【効果】本発明のDNAセンシング方法は、オンチップでの高感度のDNAセンシングとして非常に効果的であり、完全相補配列を有するDNA及び一塩基多型等のミスマッチ配列のDNAの解析を、高感度かつ高精度で実施することができる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体上に反応ゲート絶縁部としてシリコン酸化物又は無機酸化物を含む絶縁層が形成された電界効果型トランジスタの上記絶縁層の上に、反応性官能基を有する有機分子で構成された有機単分子膜を形成し、該有機単分子膜に塩基数3〜35の短鎖プローブDNAを、上記反応性官能基を介して、直接又は架橋分子を介して結合させ、上記プローブDNAに対し、該プローブDNAの完全相補配列を有するDNA又は該完全相補配列に対して1〜3個の塩基が異なるミスマッチ配列を有するDNAであるターゲットDNAをハイブリダイゼーション反応させて、該反応によるプローブDNAの負電荷の変化により生じる絶縁層の表面電位変化を検出するDNAセンシング方法であって、上記ハイブリダイゼーション反応により形成された二本鎖DNAを金属カチオンで修飾した後、該金属カチオンで修飾された二本鎖DNAを緩衝液に接触させて、上記表面電位変化を検出することを特徴とするDNAセンシング方法。

IPC (8件)：

C12Q 1/68 , G01N 27/414 , C12N 15/09 , G01N 33/53 , G01N 27/416 , G01N 37/00 , G01N 27/00 , C12M 1/00

FI (12件)：

C12Q1/68 A , G01N27/30 301V , C12N15/00 A , G01N33/53 M , G01N27/46 386Z , G01N27/30 301U , G01N27/30 301Y , G01N37/00 102 , G01N27/00 J , G01N27/30 301K , C12N15/00 F , C12M1/00 A

Fターム (19件)：

2G060AA15 , 2G060AD06 , 2G060AF15 , 2G060DA02 , 2G060DA15 , 2G060DA19 , 2G060KA10 , 4B024AA11 , 4B024CA09 , 4B024HA14 , 4B029AA07 , 4B029AA23 , 4B029BB20 , 4B029CC03 , 4B063QA01 , 4B063QQ42 , 4B063QR55 , 4B063QR82 , 4B063QS34

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体DNAセンシングデバイス及びDNAセンシング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-057706 出願人：学校法人早稲田大学

引用文献：

審査官引用 (5件)

Chem. Sens., 2007, vol.23, suppl.A, pp.34-36
電気化学会講演要旨集, 2007, vol.74, p.163[1F20]
ChemBioChem, 2005, vol.6, no.4, pp.703-710

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