特許

J-GLOBAL ID：201003048187661128

放射線検出素子、及び、放射線検出装置

発明者： 佐々木 雄久
出願人/特許権者： 佐々木 雄久
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-120963
公開番号（公開出願番号）：特開2010-272577
出願日： 2009年05月19日
公開日（公表日）： 2010年12月02日
要約：

【課題】半導体素子を用いた放射線検出素子は小型軽量などの利点があるが、放射線を透過しやすいので放射線検出効率が低いという問題があった。【解決手段】本願の放射線検出素子及び放射線検出装置は、放射線検出素子の放射線入射面にタングステンなどの金属からなる膜を形成し、放射線の入射エネルギーを減衰させることにした。入射エネルギーを減衰させることで放射線入射によるキャリア生成効率が向上し、金属膜の膜厚を最適化して、放射線検出効率向上が可能になった。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも、真性半導体基板と、前記真性半導体基板上の放射線入射側に設けた電極と、前記真性半導体基板の前記電極と反対側に設けたn型半導体領域又はp型半導体領域とからなり、前記電極が金属からなる膜、又は、金属からなる膜を含む積層膜であることを特徴とする放射線検出素子。

IPC (4件)：

H01L 31/09 ,  G01T 1/24 ,  G01T 1/161 ,  H01L 27/14

FI (5件)：

H01L31/00 A ,  G01T1/24 ,  G01T1/161 C ,  G01T1/161 A ,  H01L27/14 K

Fターム (32件)：

2G088EE03 ,  2G088FF02 ,  2G088FF04 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ31 ,  2G088LL15 ,  4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CA06 ,  4M118CA10 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118DD09 ,  4M118GA10 ,  5F088AA03 ,  5F088AA04 ,  5F088AA09 ,  5F088AB02 ,  5F088AB07 ,  5F088AB09 ,  5F088BA01 ,  5F088BB07 ,  5F088FA05 ,  5F088FA09 ,  5F088GA03 ,  5F088GA04 ,  5F088GA05 ,  5F088LA07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体放射線検出素子およびそれを用いた放射線検出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-356787   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体放射線検出素子および整流素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-036499   出願人：富士電機株式会社
• 特開平3-248578
  
• 特開昭60-070774