特許

J-GLOBAL ID：201003048779015946

半導体装置の製造方法

発明者： 中山 雅則
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-290563
公開番号（公開出願番号）：特開2010-118489
出願日： 2008年11月13日
公開日（公表日）： 2010年05月27日
要約：

【課題】ゲート絶縁膜の側壁を熱酸化させて修復する際に、Ti元素を含む金属材料からなるゲート電極膜の酸化を抑制する。【解決手段】基板上に形成されたゲート絶縁膜の側壁にプラズマによって活性化させた反応ガスを供給する工程を有する半導体装置の製造方法であって、ゲート絶縁膜上にはTi元素を含む金属材料からなるゲート電極膜が形成されており、前記反応ガス中に含まれるO2ガスの流量を、前記反応ガス中に含まれるH2ガスの流量の1/19以下とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたゲート絶縁膜の側壁にプラズマによって活性化させた反応ガスを供給する工程を有する半導体装置の製造方法であって、 前記ゲート絶縁膜上にはTi元素を含む金属材料からなるゲート電極膜が形成されており、 前記反応ガス中に含まれるO2ガスの流量を、前記反応ガス中に含まれるH2ガスの流量の1/19以下とする ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L29/78 301F ,  H01L29/78 301G ,  H01L21/316 A

Fターム (24件)：

5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF54 ,  5F058BF55 ,  5F058BF60 ,  5F058BF73 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG10 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ07 ,  5F140AA00 ,  5F140AA26 ,  5F140AB01 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BD16 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF07 ,  5F140BG38 ,  5F140BG44 ,  5F140BG57 ,  5F140BH00

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-236257   出願人：株式会社東芝