半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-236257
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102534
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：

【要約】【目的】プロセス温度を低下することにより、熱的負荷を軽減するとともに、ゲート耐圧を向上させた半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】シリコン基板11上にゲート酸化膜13を介して金属層単層構造あるいは金属層を含む積層構造を有するゲート電極18を形成する工程と、水等の酸素及び水素を含むガスを励起して該ガスをプラズマ化する工程と、プラズマ化した前記酸素及び水素を含むガスを用いて、金属層16を酸化することなくシリコン基板11を選択的に酸化する工程とを含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

酸素及び水素を含むガスを励起して該ガスをプラズマ化することによりH及びOHを生成し、シリコンからなる領域と金属又は金属化合物からなる領域とが混在した基板に対して前記H及びOHを供給し、シリコンからなる領域を選択的に酸化することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

引用特許：

出願人引用 (9件)

特開平1-186675
特開平2-237118
特開平3-119763

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審査官引用 (8件)

特開昭59-132136
特開平4-144226
特開平2-237118

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