特許
J-GLOBAL ID：201003049034679962
逆導電半導体デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (9件)：
蔵田 昌俊
, 河野 哲
, 中村 誠
, 福原 淑弘
, 峰 隆司
, 白根 俊郎
, 村松 貞男
, 野河 信久
, 砂川 克
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-104715
公開番号（公開出願番号）：特開2010-263215
出願日： 2010年04月30日
公開日（公表日）： 2010年11月18日
要約：
【課題】改善された電気的及び熱的な性質を備えた逆導電半導体デバイスを提供する。【解決手段】電気的にアクティブな領域を備えた逆導電半導体デバイス200が設けられる。この逆導電半導体デバイスは、共通のウエーハ100上に、フリーホイール・ダイオード及び絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタを有している。ウエーハ100の一部は、ベース・レイヤの厚さ102を備えたベース・レイヤ101を形成する。少なくとも一つの第一の領域10を備えた第一の導電性タイプの第一のレイヤ1、及び、少なくとも一つの第二及び第三の領域20,22を備えた第二の導電性タイプの第二のレイヤ2が、コレクタ側103の上に交互に配置される。各領域は、領域境界により周囲を取り囲まれた領域幅11,21,23を備えた領域エリアを有している。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
逆導電半導体デバイス(200)であって:
共通のウエーハ(100)の上に、フリーホイール・ダイオード及び絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタを有し、このウエーハ(100)の一部が、第一のドープ濃度及びベース・レイヤの厚さ(102)を備えた第一の導電性タイプのベース・レイヤ(101)を形成し、
前記絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタは、ウエーハ(100)の、コレクタ側(103)、及びコレクタ側(103)の反対側のエミッタ側(104)を有し、
前記ベース・レイヤの厚さ(102)は、ウエーハの第一のドープ濃度を備えた部分の、コレクタ側(103)とエミッタ側(104)の間の最大の縦方向の距離であり、
第一の導電性タイプで、且つ第一のドープ濃度より高いドープ濃度の第一のレイヤ(1)、及び第二の導電性タイプの第二のレイヤ(2)が、コレクタ側(103)の上に交互に配置され、
第一の導電性タイプの第三のレイヤ(3)、第二の導電性タイプの第四のレイヤ(4)、及びゲート電極の形態の導電性の第五のレイヤ(5)が、エミッタ側(104)に配置され、
第一のレイヤ(1)は、少なくとも一つの第一の領域(10)を有し、各第一の領域(10)は、第一の領域幅(11)を有し、
第二のレイヤ(2)は、少なくとも一つの第二の領域(20)及び少なくとも一つの第三の領域(22)を有し、各第二の領域(20)は、第二の領域幅(21)を有し、各第三の領域(22)は、第三の領域幅(23)有し、
何れのの領域も、領域境界により周囲を取り囲まれた、領域幅及び領域エリアを有し、
最短の距離は、前記領域エリアの中のポイントと前記領域境界上のポイントの間の最小の長さであり、
各領域幅は、前記領域の中の全ての最短の距離の最大値の2倍として規定され、
当該逆導電半導体デバイス(200)は、電気的にアクティブな領域(110)を有し、このアクティブな領域(110)は、ウエーハ(100)の中のエリアであって、第三のレイヤ(3)、第四のレイヤ(4)及び第五のレイヤ(5)を含み、且つそれらの下側に配置されたエリアである、
逆導電半導体デバイスにおいて、
各第三の領域エリアは、その中で何れか二つの第一の領域(10)が、ベース・レイヤの厚さ(102)の2倍より大きな距離を有しているエリアであって、前記少なくとも一つの第二の領域は、第二のレイヤ(2)の部分であって、前記少なくとも一つの第三の領域(22)に該当しない部分であり、
前記少なくとも一つの第三の領域(22)は、前記アクティブな領域(110)の中心部分の中に、第三の領域境界と前記アクティブな領域境界の間に、ベース・レイヤの厚さ(102)の少なくとも1倍の最小の距離があるように配置され、
前記少なくとも一つの第三の領域(22)のエリアの合計は、前記アクティブな領域(110)の10%と30%の間であり、
各第一の領域幅(11)は、ベース・レイヤの厚さ(102)より小さいこと、
を特徴とする逆導電半導体デバイス。
IPC (3件)：
H01L 29/739
, H01L 29/78
, H01L 27/04
H01L29/78 655D
, H01L29/78 655G
, H01L29/78 657D
, H01L29/78 652S
