特許

J-GLOBAL ID：201003050235163288

窒化物半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 山崎 智弘 ,  大野 啓 ,  持田 篤範 ,  牧田 幸治
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-070231
公開番号（公開出願番号）：特開2010-225767
出願日： 2009年03月23日
公開日（公表日）： 2010年10月07日
要約：

【課題】基板裏面に形成された電極と基板とのコンタクト抵抗を低減しつつ、信頼性の高い窒化物半導体発光素子を実現する。【解決手段】窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体基板10と、窒化物半導体基板10の第1の主面上に形成され、光を生成する活性層13を有する窒化物半導体層と、窒化物半導体基板10の第2の主面上に形成された電極20とを備えている。窒化物半導体基板10と電極20との界面部分における酸素ピーク濃度が29原子%以上で、且つ炭素ピーク濃度が11原子%以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

互いに対向する第1の主面と第2の主面とを有する窒化物半導体基板と、 前記窒化物半導体基板の前記第1の主面上に形成され、光を生成する活性層を有する窒化物半導体層と、 前記窒化物半導体基板の前記第2の主面上に形成された電極とを備え、 前記窒化物半導体基板と前記電極との界面部分における酸素ピーク濃度が29原子%以上で、且つ炭素ピーク濃度が11原子%以下である窒化物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/042 ,  H01S 5/323

FI (2件)：

H01S5/042 612 ,  H01S5/323 610

Fターム (9件)：

5F173AA08 ,  5F173AH22 ,  5F173AK08 ,  5F173AK13 ,  5F173AP05 ,  5F173AP64 ,  5F173AP71 ,  5F173AR63 ,  5F173AR87

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化物半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-165718   出願人：三菱電機株式会社