特許
J-GLOBAL ID：200903044535962254

窒化物半導体装置の製造方法

発明者：
塩沢 勝臣

塩沢 勝臣 について

, 
大石 敏之

大石 敏之 について

, 
川崎 和重

川崎 和重 について

, 
川津 善平

川津 善平 について

, 
阿部 雄次

阿部 雄次 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (4件)： 高橋 省吾 ,  稲葉 忠彦 ,  村上 加奈子 ,  中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-165718
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347534
出願日： 2004年06月03日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：
【課題】 400°C以上の温度での熱処理をしなくても、塩素ガスのみのドライエッチングでは得られない低い値のn型電極のコンタクト抵抗を有する窒化物半導体装置を得る。【解決手段】 GaN基板主面に窒化物半導体層形を形成する工程と、上記窒化物半導体層が形成されたGaN基板の裏面を研磨する工程と、上記研磨されたGaN基板の裏面を塩素と酸素との混合ガスにてドライエッチングする工程と、上記ドライエッチングされたGaN基板の裏面にn型電極を形成する工程とにより、窒化物半導体装置を製造する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
GaN基板を用いた窒化物半導体装置の製造方法であって、GaN基板主面に窒化物半導体層を形成する工程と、上記窒化物半導体層が形成されたGaN基板の裏面を研磨する工程と、上記研磨されたGaN基板の裏面を塩素と酸素との混合ガスにてドライエッチングする工程と、上記ドライエッチングされたGaN基板の裏面にn型電極を形成する工程とを有することを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01S5/042 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343
FI (6件)：
H01S5/042 612 ,  H01L21/28 A ,  H01L21/28 301B ,  H01L33/00 C ,  H01S5/343 610 ,  H01L29/44 L
Fターム (22件)：
4M104AA04 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD79 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH15 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA87 ,  5F041CA92 ,  5F041CA99 ,  5F173AH22 ,  5F173AK08 ,  5F173AK13 ,  5F173AK20 ,  5F173AP33 ,  5F173AP36 ,  5F173AP64 ,  5F173AR63
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM