特許

J-GLOBAL ID：201003051539174428

連想磁気抵抗ランダムアクセスメモリセルを提供するためのシステム及び方法

発明者： ノジエール・ジャン-ピエール ,  ジャヴェルリアック・ヴィルジール
出願人/特許権者： クロッカス・テクノロジー・ソシエテ・アノニム
代理人 (3件)： 江崎 光史 ,  奥村 義道 ,  鍛冶澤 實
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-530815
公開番号（公開出願番号）：特表2010-506341
出願日： 2007年10月08日
公開日（公表日）： 2010年02月25日
要約：

【課題】 磁気トンネル接合ベースのメモリセルを有する連想ランダムアクセスメモリ及びこの作製及び使用方法。【解決手段】 磁気トンネル接合が第1及び第2の磁気層を有するとともにデータ記憶部及びデータ検知部として機能することができる。個々のセル内において、磁気トンネル接合における第1の磁気層の磁気方向を1又はそれ以上の電流線における電流パルスを介して設定することにより登録データが書き込まれる。登録データと比較するための入力データを電流線を介した第2の磁気層の磁気方向により同様に設定することができる。磁気層の相対的磁気方向に依存するセル抵抗を測定することによりデータ検知が行われる。データ記憶、データ入力、及びデータ検知が1つのセルに統合されるため、メモリは、さらなる高密度と不揮発性を兼ね備える。メモリは、高速、消費電力の削減及びデータマスキングをサポートすることができる。

請求項（抜粋）：

第1の線と連通するとともに所定の磁化方向の磁化を有する第1の磁気層と、第2の線と連通するとともに前記第1の磁気層の前記一定の磁化方向に対して調整可能な磁化方向の磁化を有する第2の磁気層との間に配置された絶縁層から形成された多層磁気トンネル接合に結合されたスイッチングトランジスタを含む連想メモリ(CAM)のメモリセルに記憶されたデータを検知する方法において、 書込み動作中、 前記第1の線を介して前記第1の磁気層に書込みデータを提供するステップと、 前記第1の線内の少なくとも一部の電流を、前記スイッチングトランジスタを介して前記磁気トンネル接合に印加することにより、前記磁気トンネル接合を加熱するステップと、 前記書込みデータに基づいて前記第1の磁気層の前記所定の磁化方向を確立するステップと、 検知動作中、 前記第2の線を介して前記第2の磁気層に入力データを提供するステップと、 前記入力データに基づいて前記第2の磁気層の前記磁化方向を確立するステップと、 前記磁気トンネル接合の抵抗値を測定することにより、前記入力データを前記書込みデータと比較するステップとを含むことを特徴とする方法。

IPC (5件)：

G11C 15/04 ,  G11C 11/15 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C15/04 601R ,  G11C11/15 140 ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z

Fターム (22件)：

4M119AA01 ,  4M119BB01 ,  4M119CC02 ,  4M119CC06 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD49 ,  4M119EE03 ,  4M119EE04 ,  4M119EE22 ,  4M119EE29 ,  4M119HH05 ,  5F092AA04 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD24 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BC04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気連想メモリ及び磁気連想メモリからの情報読み出し方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-066147   出願人：独立行政法人科学技術振興機構
• 特公昭44-023675
  
• 特許第6191973号
  
• 特許第6950335号