特許

J-GLOBAL ID：201003051653609280

シリコン酸化膜の形成方法

発明者： 宮 博信 ,  豊田 一行 ,  佐藤 武敏 ,  経田 昌幸
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-129787
公開番号（公開出願番号）：特開2010-206218
出願日： 2010年06月07日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：

【課題】 低温での成膜が可能であり、表面平坦性、凹部埋めこみ性、ステップカバレッジに優れ、成膜速度にも優れるシリコン酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】 減圧可能な処理室に載置された基板の表面にシリコン酸化膜を形成する方法であって、処理室に、シランガスと酸素原子を含むガスを交互に繰り返し供給し、基板の表面にシリコン酸化膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

減圧可能な処理室に載置された基板の表面にシリコン酸化膜を形成する方法であって、 前記処理室に、シランガスと酸素原子を含むガスを交互に繰り返し供給し、基板の表面にシリコン酸化膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/42

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/42

Fターム (27件)：

4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA04 ,  4K030HA01 ,  4K030KA04 ,  4K030KA23 ,  4K030LA15 ,  5F045AA15 ,  5F045AA16 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE14 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EH18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-196321
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-201396   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 基板処埋装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-295323   出願人：株式会社日立国際電気
• 特開平4-196321