特許
J-GLOBAL ID：201003053268018037

集束イオンビーム装置

発明者：
小川 貴志

小川 貴志 について

, 
西中 健一

西中 健一 について

, 
小山 喜弘

小山 喜弘 について


出願人/特許権者：
エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社

エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 について


代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-046366
公開番号（公開出願番号）：特開2010-205426
出願日： 2009年02月27日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：
【課題】FIM像から、コンタミネーション等の外乱に影響されずにエミッタの結晶構造を正確に把握することができるうえ、原子の再配列を行わせたとしても、エミッタの結晶構造が正確に元の状態に戻ったか否かを判断すること。【解決手段】エミッタ10と、ガスG2を供給するガス源11と、エミッタを冷却させる冷却部12と、エミッタの先端を加熱する加熱部13と、引出電圧を印加してエミッタの先端でガスをガスイオンにして引き出させる引出電源部15と、ガスイオンを集束イオンビーム(FIB)にした後に試料Sに照射させるビーム光学系16と、エミッタ先端のFIM像を取得する画像取得機構17と、表示部及び記憶部7bを有する制御部7と、を備え、記憶部には、エミッタ先端の理想的な結晶構造を表示するガイドが予め記憶され、制御部が取得したFIM像にガイドを重ねた状態で表示部に表示可能とされている集束イオンビーム装置を提供する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
先端が先鋭化され、先端の結晶構造がピラミッド状のエミッタと、 該エミッタの周囲にガスを供給するガス源と、 前記エミッタを冷却させる冷却部と、 前記エミッタの先端を局所的に加熱して、エミッタを構成する原子の再配列を行わせる加熱部と、 前記エミッタの先端から離間して配設された引出電極と、 前記エミッタと前記引出電極との間に引出電圧を印加して、エミッタの先端で前記ガスをイオン化させてガスイオンにさせた後、引出電極側に引き出させる引出電源部と、 引き出された前記ガスイオンを集束イオンビームにした後に試料に照射させるビーム光学系と、 前記集束イオンビームから前記エミッタ先端のFIM像を取得する画像取得機構と、 取得した前記FIM像を表示する表示部を有すると共にFIM像を記憶する記憶部を有する制御部と、を備え、 前記記憶部には、前記エミッタ先端の理想的な結晶構造を表示するガイドが予め記憶され、 前記制御部は、取得した前記FIM像に前記ガイドを重ねた状態で前記表示部に表示可能とされていることを特徴とする集束イオンビーム装置。
IPC (3件)：
H01J 27/26 ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/317
FI (3件)：
H01J27/26 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317 D
Fターム (4件)：
5C030DF02 ,  5C030DF10 ,  5C034DD01 ,  5C034DD09
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • アトムプローブ装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-106450   出願人：新日本製鐵株式会社
  • 結晶方位決定装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-106456   出願人：新日本製鐵株式会社

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