特許
J-GLOBAL ID：201003053382699656

13族元素窒素化合物結晶の製造方法

発明者：
吉田 一男

吉田 一男 について


出願人/特許権者：
旭化成株式会社

旭化成株式会社 について


代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  中村 和広 ,  小野田 浩之 ,  齋藤 都子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-335283
公開番号（公開出願番号）：特開2010-155751
出願日： 2008年12月26日
公開日（公表日）： 2010年07月15日
要約：
【課題】酸素不純物が少なく高純度で良質なGaNを提供する。【解決手段】ガリウムを主成分とする13族元素窒素化合物結晶の製造方法であって、少なくともガリウムを含む13族元素の金属及び/又は該金属の窒素化合物12を、アンモニア雰囲気下、酸素除去添加剤14の存在下で、加熱処理して結晶を得るステップを含み、ここで、該酸素除去添加剤14は、その中心部がチタン金属、ジルコニウム金属、チタン合金、及びジルコニウム合金から成る群から選ばれる金属又は合金から構成され、かつ、その表層部が該金属又は合金の水素化物で覆われた複合構造を有する前記製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ガリウムを主成分とする13族元素窒素化合物結晶の製造方法であって、少なくともガリウムを含む13族元素の金属及び/又は該金属の窒素化合物を、アンモニア雰囲気下、酸素除去添加剤の存在下で、加熱処理して結晶を得るステップを含み、ここで、該酸素除去添加剤は、その中心部がチタン金属、ジルコニウム金属、チタン合金、及びジルコニウム合金から成る群から選ばれる金属又は合金から構成され、かつ、その表層部が該金属又は合金の水素化物で覆われた複合構造を有する前記製造方法。
IPC (2件)：
C30B 7/10 ,  C30B 29/38
FI (2件)：
C30B7/10 ,  C30B29/38 D
Fターム (15件)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CB01 ,  4G077CB10 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077EC02 ,  4G077ED02 ,  4G077EJ10 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077KA09 ,  4G077KA12
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM