特許
J-GLOBAL ID：201003053675719813
半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
藤島 洋一郎
, 三反崎 泰司
, 長谷部 政男
, 田名網 孝昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-302579
公開番号（公開出願番号）：特開2010-129763
出願日： 2008年11月27日
公開日（公表日）： 2010年06月10日
要約：
【課題】へき開位置がずれるのを抑制すると同時に、微細な断層が活性層にまで延びるのを抑制することの可能な半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】へき開ラインLには、溝45Aと、少なくとも溝45Aの内部に形成された溝45Bとを含む多段溝45が形成されている。溝45A,45Bは、へき開ラインLと平行な帯状の形状となっており、ウェハWの表面のうち、ウェハW上に形成されたリッジ部20A同士の間であって、かつ上部電極32の未形成領域に形成されている。多段溝45を利用して基板10をへき開し、へき開ラインLに沿って前端面S1および後端面S2を形成する。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、帯状の光導波路を有すると共に、前記光導波路を当該光導波路の延在方向から挟み込む一対のへき開面を有するレーザ構造部を備え、
前記レーザ構造部は、前記半導体基板上に、前記光導波路を有する半導体層を形成したのち、へき開ラインに平行な第1の溝を、前記半導体基板のうち前記半導体層側の表面に形成すると共に、少なくとも前記第1の溝の内部に第2の溝を形成することにより前記第1の溝および前記第2の溝を含む多段溝を形成し、前記多段溝を利用して前記半導体基板をへき開することにより形成されたものである半導体レーザ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F173AA08
, 5F173AA16
, 5F173AH22
, 5F173AP33
, 5F173AP43
, 5F173AP83
, 5F173AR68
, 5F173AR93
, 5F173AR96
