特許
J-GLOBAL ID：200903046672773402
半導体レーザ装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：
前田 弘
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-238086
公開番号（公開出願番号）：特開2008-060478
出願日： 2006年09月01日
公開日（公表日）： 2008年03月13日
要約：
【課題】窒化物半導体等の六方晶系の半導体材料を用い且つ構造的に安定な劈開面を有する半導体レーザ装置及びその製造方法を実現できようにする。【解決手段】半導体レーザ装置は、基板11及び基板11の上に形成された半導体層積層体12の一部が切り出され、導波部23aと交差する方向の2つチップ端面13と、導波部23aと並行な方向の2つのチップ側面14とを有するチップを備えている。2つのチップ端面13の少なくとも一方における劈開面13aの両側方の領域には、チップの一部が、切り欠かれて、チップ端面13と接する第1の壁面31aと、チップ側面14と接する第2の壁面31bとを露出する切り欠き部31がそれぞれ形成されており、2つの切り欠き部31のうちの少なくとも一方における第1の壁面31aが延びる方向と、劈開面13aが延びる方向とがなす角度θは、10度以上且つ40度以下である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板及び該基板の上に形成された半導体層積層体を切り出したチップを備え、
前記半導体層積層体は、ストライプ状の導波部を含む、六方晶構造を有する半導体材料からなる複数の半導体層からなり、
前記チップは、前記導波部と交差する方向の2つのチップ端面と、前記導波部と平行な方向の2つのチップ側面とを有し、
前記各チップ端面における前記導波部を含む領域は、前記半導体層積層体が劈開された劈開面であり、
少なくとも一方の前記チップ端面における前記導波部の両側方の領域には、それぞれ前記チップの一部が切り欠かれて、前記チップ端面と接する第1の壁面と、前記チップ側面と接する第2の壁面とを露出する切り欠き部が形成されており、
2つの前記切り欠き部のうちの少なくとも一方における前記第1の壁面が延びる方向と、前記劈開面が延びる方向とがなす角度は、10度以上且つ40度以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
5F173AA08
, 5F173AA16
, 5F173AH22
, 5F173AJ04
, 5F173AJ13
, 5F173AL13
, 5F173AP05
, 5F173AP33
, 5F173AP42
, 5F173AP62
, 5F173AP73
, 5F173AP83
, 5F173AP91
, 5F173AQ05
, 5F173AR92
, 5F173AR93
出願人引用 (3件)
審査官引用 (8件)
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