特許

J-GLOBAL ID：201003053685411850

半導体装置とその製造方法

発明者： 添野 明高
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-234872
公開番号（公開出願番号）：特開2010-067901
出願日： 2008年09月12日
公開日（公表日）： 2010年03月25日
要約：

【課題】 IGBTのオン電圧が低く、ダイオードの逆回復特性が高いIGBT-ダイオード一体型装置を提供する。【解決手段】 縦型のIGBT20と縦型のダイオード40が形成されている半導体基板12を備える半導体装置10であって、IGBT20のボディ領域24は、ダイオード40のアノード領域42よりも深い位置まで形成されており、半導体基板12内の結晶欠陥が、IGBT20が形成されている領域とダイオード40が形成されている領域の両方に亘って、IGBT20のボディ領域24の下端より浅く、ダイオード40のアノード領域42の下端より深い範囲で周囲より高濃度に分布している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

縦型のIGBTと縦型のダイオードが形成されている半導体基板を備える半導体装置であって、 IGBTは、 半導体基板の第1表面に露出しているn型のエミッタ領域と、 半導体基板の第1表面に露出しており、エミッタ領域に隣接しており、エミッタ領域より深い位置まで形成されているp型のボディ領域と、 ボディ領域に対して深い位置で隣接しており、ボディ領域によってエミッタ領域から分離されているn型のドリフト領域と、 半導体基板の第2表面に露出しており、ドリフト領域によってボディ領域から分離されているp型のコレクタ領域と、 エミッタ領域とドリフト領域を分離している範囲のボディ領域に絶縁膜を介して対向しているゲート電極、 を有しており、 ダイオードは、 半導体基板の第1表面に露出しているp型のアノード領域と、 半導体基板の第2表面に露出しており、アノード領域と隣接しているn型のカソード領域、 を有しており、 IGBTのボディ領域は、ダイオードのアノード領域よりも深い位置まで形成されており、 半導体基板内の結晶欠陥が、IGBTが形成されている領域とダイオードが形成されている領域の両方に亘って、IGBTのボディ領域の下端より浅く、ダイオードのアノード領域の下端より深い範囲で周囲より高濃度に分布していることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 27/04

FI (5件)：

H01L29/78 658H ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 657D ,  H01L29/78 652C

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-175054   出願人：株式会社デンソー