特許
J-GLOBAL ID：200903037067149951

半導体装置の製造方法

発明者：
小山 雅紀

小山 雅紀 について

, 
戸倉 規仁

戸倉 規仁 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-175054
公開番号（公開出願番号）：特開2008-004866
出願日： 2006年06月26日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：
【課題】精度良く、低ライフタイム領域を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】N-型基板3の表面側からイオン注入を行うことで、N-型基板3の表層部に低ライフタイム領域としての格子欠陥領域4を形成する(図2(a))。この後、格子欠陥領域4にレーザ光を照射することにより、格子欠陥領域4に当該格子欠陥領域4の表層部を活性化させた活性化領域としてのP型領域5をパターン形成する(図2(b))。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
シリコン基板(3)の表面側に形成された第1電極(6)と裏面に形成された第2電極(12)とを有し、前記第1電極と前記第2電極の間に電流を流すように構成された縦型の半導体素子が備えられてなる半導体装置の製造方法において、 前記シリコン基板の表面側からイオン注入を行うことで、前記シリコン基板の表層部に低ライフタイム領域としての格子欠陥領域(4)を形成すると共に、前記格子欠陥領域にレーザビームを照射することにより、前記格子欠陥領域に当該格子欠陥領域の表層部を活性化させた活性化領域(5)をパターン形成する工程を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/322 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/739 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (8件)：
H01L21/322 L ,  H01L21/265 F ,  H01L21/265 602C ,  H01L29/91 J ,  H01L29/91 D ,  H01L29/78 655F ,  H01L29/78 658H ,  H01L29/78 658Z
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 電力用半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-176896   出願人：株式会社東芝
審査官引用 (3件)
  • 半導体デバイスの製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-015625   出願人：株式会社明電舎
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-180348   出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社豊田中央研究所
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-055775   出願人：株式会社日立製作所

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