特許

J-GLOBAL ID：201003054125887766

電圧誘起磁化反転を用いた磁気メモリとその製造方法

発明者： 白土 優 ,  中谷 亮一
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学
代理人 (2件)： 上代 哲司 ,  神野 直美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-054827
公開番号（公開出願番号）：特開2010-212342
出願日： 2009年03月09日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：

【課題】磁化反転に高い電流密度を必要とせず、磁化の熱安定性の低下を抑制して、高い記録密度が可能な磁気メモリを提供する。【解決手段】磁性素子の可動層が強磁性体層と電気磁気効果を有する酸化物反強磁性体層の2層構造であり、情報入力方式として電圧誘起磁化反転を用いた磁気メモリ。酸化物反強磁性体層を形成する方法として、Au(111)層の上に3回対称のCr(110)層をエピタキシャル成長させて形成するCr層形成ステップと、形成されたCr(110)層を酸化させて3回対称のCr2O3(0001)層を形成するCr層形成ステップとを有している情報入力方式として電圧誘起磁化反転を用いた磁気メモリの製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁性素子の可動層が強磁性体層と電気磁気効果を有する酸化物反強磁性体層の2層構造であり、 情報入力方式として電圧誘起磁化反転を用いることを特徴とする電圧誘起磁化反転を用いた磁気メモリ。

IPC (3件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (2件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z

Fターム (29件)：

4M119AA03 ,  4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119CC09 ,  4M119DD05 ,  4M119DD45 ,  4M119EE23 ,  4M119EE24 ,  4M119EE27 ,  4M119JJ02 ,  4M119JJ03 ,  4M119JJ09 ,  5F092AA15 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD13 ,  5F092AD24 ,  5F092BB04 ,  5F092BB42 ,  5F092BB45 ,  5F092BB55 ,  5F092BC03 ,  5F092BC11 ,  5F092BC13 ,  5F092BE21 ,  5F092CA02 ,  5F092CA13 ,  5F092CA25